RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Компьютерная оптика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Компьютерная оптика, 2016, том 40, выпуск 6, страницы 830–836 (Mi co333)  

ДИФРАКЦИОННАЯ ОПТИКА, ОПТИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ

Исследование травления диоксида кремния во внеэлектродной плазме с использованием хромовой маски

В. В. Подлипновab, В. А. Колпаковa, Н. Л. Казанскийab

a Самарский национальный исследовательский университет имени академика С.П. Королева, Самара, Россия
b Институт систем обработки изображений РАН – филиал ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН, Самара, Россия

Аннотация: Представлены результаты травления структуры Cr-SiO$_2$ в потоке внеэлектродной плазмы высоковольтного газового разряда в среде CF$_4$ + O$_2$ в соотношении 50:1 при токе разряда – I = 80 мА, ускоряющем напряжении – U = 1,2 кВ и длительности обработки в плазме – t = 5 мин. Показано, что изменения интенсивности полос рамановских спектров в процессе травления соответствуют наноструктурным изменениям тонких пленок Cr-SiO$_2$ и хромовой маски. Особенность травления заключена в удалении окисла Cr$_2$O$_3$ при увеличении молекул азота в структуре пленки Cr. Обнаружено, что продукты распыления, осажденные внутри окон маски хрома при U = 1,2 кВ и I = 80 мА, согласно полученным рамановским спектрам, представляют соединение Cr$_2$N.

Ключевые слова: диффузия, ионно-электронный поток частиц, отжиг, травление, переосаждение, микромаскирование.

Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МД-5205.2016.9
Российский фонд фундаментальных исследований 16-07-00494 А
Работа выполнена при поддержке грантов Президента Российской Федерации для поддержки молодых российских ученых – докторов наук МД-5205.2016.9 и Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 16-07-00494 А).


DOI: https://doi.org/10.18287/2412-6179-2016-40-6-830-836

Полный текст: PDF файл (1602 kB)
Полный текст: http://www.computeroptics.smr.ru/.../400608.html
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 28.11.2016
Принята в печать:07.12.2016

Образец цитирования: В. В. Подлипнов, В. А. Колпаков, Н. Л. Казанский, “Исследование травления диоксида кремния во внеэлектродной плазме с использованием хромовой маски”, Компьютерная оптика, 40:6 (2016), 830–836

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PodKolKaz16}
\by В.~В.~Подлипнов, В.~А.~Колпаков, Н.~Л.~Казанский
\paper Исследование травления диоксида кремния во внеэлектродной плазме с использованием хромовой маски
\jour Компьютерная оптика
\yr 2016
\vol 40
\issue 6
\pages 830--836
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/co333}
\crossref{https://doi.org/10.18287/2412-6179-2016-40-6-830-836}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/co333
  • http://mi.mathnet.ru/rus/co/v40/i6/p830

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Компьютерная оптика
    Просмотров:
    Эта страница:100
    Полный текст:34
    Литература:18
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020