RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Компьютерная оптика:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Компьютерная оптика, 2017, том 41, выпуск 4, страницы 499–503 (Mi co411)  

OPTO-IT

Nanophotonic structure formation by dry e-beam etching of the resist: resolution limitation origins

A. E. Rogozhinab, M. A. Bruka, E. N. Zhikhareva, F. A. Sidorovab

a Insitute of Physics and Technology, Institution of Russian Academy of Sciences, Moscow
b Moscow Institute of Physics and Technology, Moscow, Russia

Аннотация: A wide range of structures for nanophotonics and optoelectronics can be formed by dry e-beam etching of the resist (DEBER). High resist sensitivity due to chain depolymerization reaction provides efficient etching with high throughput of the method. The structures obtained by the DEBER in this research are well-rounded diffraction gratings, binary gratings and staircase profiles. The major disadvantage of DEBER is poor lateral resolution, which may be caused by different physical mechanisms. Four groups of possible mechanisms leading to the resolution limitation are determined and the influence of some mechanisms is estimated.

Ключевые слова: DEBER, e-beam etching, nanophotonics, diffractive optical elements, diffractive optics, three-dimensional lithography, three-dimensional fabrication, microlithography, optical design and fabrication.

Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации MK-3327.2017.9


DOI: https://doi.org/10.18287/2412-6179-2017-41-4-499-503

Полный текст: PDF файл (734 kB)
Полный текст: http://www.computeroptics.smr.ru/.../410405.html
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 22.07.2017
Принята в печать:21.08.2017
Язык публикации: английский

Образец цитирования: A. E. Rogozhin, M. A. Bruk, E. N. Zhikharev, F. A. Sidorov, “Nanophotonic structure formation by dry e-beam etching of the resist: resolution limitation origins”, Компьютерная оптика, 41:4 (2017), 499–503

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RogBruZhi17}
\by A.~E.~Rogozhin, M.~A.~Bruk, E.~N.~Zhikharev, F.~A.~Sidorov
\paper Nanophotonic structure formation by dry e-beam etching of the resist: resolution limitation origins
\jour Компьютерная оптика
\yr 2017
\vol 41
\issue 4
\pages 499--503
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/co411}
\crossref{https://doi.org/10.18287/2412-6179-2017-41-4-499-503}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/co411
  • http://mi.mathnet.ru/rus/co/v41/i4/p499

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Компьютерная оптика
    Просмотров:
    Эта страница:106
    Полный текст:32
    Литература:16
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020