RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Докл. АН СССР, 1965, том 165, номер 2, страницы 309–312 (Mi dan31807)  

ФИЗИКА

Влияние приповерхностных зарядов на световое изменение контактной разности потенциалов полупроводников

А. М. Мешков, И. А. Акимов


Полный текст: PDF файл (625 kB)

Тип публикации: Статья
УДК: 535.215.5
Статья представлена к публикации: А. Н. Теренин
Поступила в редакцию: 19.03.1965

Образец цитирования: А. М. Мешков, И. А. Акимов, “Влияние приповерхностных зарядов на световое изменение контактной разности потенциалов полупроводников”, Докл. АН СССР, 165:2 (1965), 309–312

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MesAki65}
\by А.~М.~Мешков, И.~А.~Акимов
\paper Влияние приповерхностных зарядов на световое изменение контактной разности потенциалов полупроводников
\jour Докл. АН СССР
\yr 1965
\vol 165
\issue 2
\pages 309--312
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan31807}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/dan31807
  • http://mi.mathnet.ru/rus/dan/v165/i2/p309

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Просмотров:
    Эта страница:17
    Полный текст:7

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019