RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Докл. АН СССР, 1966, том 171, номер 4, страницы 830–832 (Mi dan32734)  

ФИЗИКА

Получение и некоторые свойства полупроводникового соединения $\mathrm{CdSnAs}_2$

А. С. Борщевский, Н. А. Горюнова, Г. А. Сихарулидзе, В. М. Тучкевич, Ю. В. Шмарцев

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Полный текст: PDF файл (394 kB)
Тип публикации: Статья
УДК: 537.311.33
Статья представлена к публикации: Б. П. Константинов
Поступила в редакцию: 20.12.1965

Образец цитирования: А. С. Борщевский, Н. А. Горюнова, Г. А. Сихарулидзе, В. М. Тучкевич, Ю. В. Шмарцев, “Получение и некоторые свойства полупроводникового соединения $\mathrm{CdSnAs}_2$”, Докл. АН СССР, 171:4 (1966), 830–832

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BorGorSik66}
\by А.~С.~Борщевский, Н.~А.~Горюнова, Г.~А.~Сихарулидзе, В.~М.~Тучкевич, Ю.~В.~Шмарцев
\paper Получение и некоторые свойства полупроводникового соединения $\mathrm{CdSnAs}_2$
\jour Докл. АН СССР
\yr 1966
\vol 171
\issue 4
\pages 830--832
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan32734}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/dan32734
  • http://mi.mathnet.ru/rus/dan/v171/i4/p830

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Просмотров:
    Эта страница:30
    Полный текст:17
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019