RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Докл. АН СССР, 1970, том 192, номер 5, страницы 1015–1018 (Mi dan35473)  

ФИЗИКА

Электропроводность искусственного полупроводникового алмаза

Л. Ф. Верещагин, О. Г. Ревин, В. Н. Слесарев, И. Н. Сейфи-Хусаинов, А. С. Чмыхов

Институт физики высоких давлений АН СССР

Полный текст: PDF файл (659 kB)
Тип публикации: Статья
УДК: 537.311.3
Поступила в редакцию: 26.02.1970

Образец цитирования: Л. Ф. Верещагин, О. Г. Ревин, В. Н. Слесарев, И. Н. Сейфи-Хусаинов, А. С. Чмыхов, “Электропроводность искусственного полупроводникового алмаза”, Докл. АН СССР, 192:5 (1970), 1015–1018

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VerRevSle70}
\by Л.~Ф.~Верещагин, О.~Г.~Ревин, В.~Н.~Слесарев, И.~Н.~Сейфи-Хусаинов, А.~С.~Чмыхов
\paper Электропроводность искусственного полупроводникового алмаза
\jour Докл. АН СССР
\yr 1970
\vol 192
\issue 5
\pages 1015--1018
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan35473}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/dan35473
  • http://mi.mathnet.ru/rus/dan/v192/i5/p1015

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Просмотров:
    Эта страница:45
    Полный текст:33
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021