|
ФИЗИКА
Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов
О. М. Керимов, А. С. Подсосонный, В. Н. Слесарев, А. С. Чмыхов Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина АН СССР, Академгородок Московской обл.
Полный текст:
PDF файл (489 kB)
Тип публикации:
Статья
УДК:
535.376 Статья представлена к публикации: Л. Ф. Верещагин Поступила в редакцию: 12.05.1974
Образец цитирования:
О. М. Керимов, А. С. Подсосонный, В. Н. Слесарев, А. С. Чмыхов, “Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов”, Докл. АН СССР, 220:3 (1975), 564–567
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KerPodSle75}
\by О.~М.~Керимов, А.~С.~Подсосонный, В.~Н.~Слесарев, А.~С.~Чмыхов
\paper Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов
\jour Докл. АН СССР
\yr 1975
\vol 220
\issue 3
\pages 564--567
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan38814}
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/dan38814 http://mi.mathnet.ru/rus/dan/v220/i3/p564
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
|
Просмотров: |
Эта страница: | 44 | Полный текст: | 35 |
|