Доклады Академии наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Докл. АН СССР, 1975, том 220, номер 3, страницы 564–567 (Mi dan38814)  
ФИЗИКА

Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов

О. М. Керимов, А. С. Подсосонный, В. Н. Слесарев, А. С. Чмыхов

Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина АН СССР, Академгородок Московской обл.

Полный текст: PDF файл (489 kB)
Тип публикации: Статья
УДК: 535.376
Статья представлена к публикации: Л. Ф. Верещагин
Поступила в редакцию: 12.05.1974

Образец цитирования: О. М. Керимов, А. С. Подсосонный, В. Н. Слесарев, А. С. Чмыхов, “Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов”, Докл. АН СССР, 220:3 (1975), 564–567

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KerPodSle75}
\by О.~М.~Керимов, А.~С.~Подсосонный, В.~Н.~Слесарев, А.~С.~Чмыхов
\paper Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов
\jour Докл. АН СССР
\yr 1975
\vol 220
\issue 3
\pages 564--567
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan38814}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/dan38814
  • http://mi.mathnet.ru/rus/dan/v220/i3/p564

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
    • Просмотров:
    Эта страница:46
    Полный текст:35
     
    Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021