RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Докл. РАН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Докл. АН СССР, 1985, том 282, номер 4, страницы 854–857 (Mi dan47040)  

ФИЗИКА

Плотность тока в катодном пятне вакуумной дуги и градиенты температуры и концентрации заряженных частиц

И. И. Бейлисabc, М. П. Зекцерcab, В. И. Раховскийcab

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт механики
b Всесоюзный научно-исследовательский центр по изучению свойств поверхности и вакуума, г Москва
c Институт высоких температур Академии наук СССР, г. Москва

Полный текст: PDF файл (614 kB)
Тип публикации: Статья
УДК: 537.523.5
Статья представлена к публикации: А. Б. Мигдал
Поступила в редакцию: 28.09.1984

Образец цитирования: И. И. Бейлис, М. П. Зекцер, В. И. Раховский, “Плотность тока в катодном пятне вакуумной дуги и градиенты температуры и концентрации заряженных частиц”, Докл. АН СССР, 282:4 (1985), 854–857

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BeiZekRah85}
\by И.~И.~Бейлис, М.~П.~Зекцер, В.~И.~Раховский
\paper Плотность тока в катодном пятне вакуумной дуги и градиенты температуры и концентрации заряженных частиц
\jour Докл. АН СССР
\yr 1985
\vol 282
\issue 4
\pages 854--857
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/dan47040}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/dan47040
  • http://mi.mathnet.ru/rus/dan/v282/i4/p854

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Просмотров:
    Эта страница:13
    Полный текст:8
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020