Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика твердого тела, 1989, том 31, выпуск 4, страницы 10–20 (Mi ftt5260)  

Локализация электронов и гальваномагнитные свойства компенсированных кристаллов $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te и $n$-InSb в квантующем магнитном поле

Б. А. Аронзон, Н. К. Чумаков

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова

Аннотация: Проведены исследования компонент тензора удельного сопротивления $\rho_{xx}$, $\rho_{zz}$, $\rho_{xy}$ компенсированных $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te и $n$-InSb при температурах $0.35 K\leqslant T\leqslant 30$ K (InSb) и $1.3 K\leqslant T\leqslant30$ K (Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te) в магнитных полях $B\leqslant 8$ T ($B\parallel Z$). С увеличением магнитного поля наблюдается переход металл$-$диэлектрик, происходящий по следующему сценарию: 1)  в слабых полях вещество находится в металлическом состоянии, затем 2)  происходит локализация электронов в ямы крупномасштабного флуктуационного потенциала (ФП), и, наконец, 3)  электроны локализуются в мелкомасштабном потенциале (эквивалент магнитного вымораживания). Подробно изучены свойства вещества во второй, промежуточной, фазе. Анализ различных способов описания наблюдаемых в этой фазе особенностей $\rho_{xx}$ ($B$, Т), $\rho_{zz}$ ($B$, T), $\rho_{xy}$ ($B$, Т) показывает, что наиболее адекватное описание достигается в модели <неоднородной среды>, существенно учитывающей неоднородность распределения концентрации электронов по объему образца. Исследованы температурная и полевая зависимости предэкспоненциальных множителей активационной части проводимости. Проанализирована природа минимума в зависимости коэффициента Холла $R_{H}$ от $B$.

Полный текст: PDF файл (1459 kB)

Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 537.311.3
Поступила в редакцию: 06.07.1988

Образец цитирования: Б. А. Аронзон, Н. К. Чумаков, “Локализация электронов и гальваномагнитные свойства компенсированных кристаллов $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te и $n$-InSb в квантующем магнитном поле”, Физика твердого тела, 31:4 (1989), 10–20

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AroChu89}
\by Б.~А.~Аронзон, Н.~К.~Чумаков
\paper Локализация электронов и~гальваномагнитные свойства компенсированных кристаллов $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te и~$n$-InSb в~квантующем магнитном поле
\jour Физика твердого тела
\yr 1989
\vol 31
\issue 4
\pages 10--20
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt5260}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/ftt5260
  • http://mi.mathnet.ru/rus/ftt/v31/i4/p10

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика твердого тела Физика твердого тела
    Просмотров:
    Эта страница:8
    Полный текст:7
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022