|
Препринты ИПМ им. М. В. Келдыша, 2018, 099, 12 стр.
(Mi ipmp2459)
|
|
|
|
Математическая модель радиационного нагрева изделий микроэлектроники
Ю. А. Волков, К. К. Иноземцева, М. Б. Марков, И. А. Тараканов
Аннотация:
Рассмотрен радиационный нагрев полупроводникового кристалла. Построена модель передачи энергии кристаллу избыточными носителями заряда, образующимися при рассеянии ионизирующего излучения. Вычислено распределение энергии, теряемой падающим излучением в кристалле, между электронами проводимости и фононами кристаллической решетки.
Ключевые слова:
ионизирующее излучение, носитель заряда, фонон.
DOI:
https://doi.org/10.20948/prepr-2018-99
Полный текст:
PDF файл (770 kB)
Полный текст:
http:/.../preprint.asp?id=2018-99&lg=r
Список литературы:
PDF файл
HTML файл
Реферативные базы данных:
Тип публикации:
Препринт
Образец цитирования:
Ю. А. Волков, К. К. Иноземцева, М. Б. Марков, И. А. Тараканов, “Математическая модель радиационного нагрева изделий микроэлектроники”, Препринты ИПМ им. М. В. Келдыша, 2018, 099, 12 с.
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VolInoMar18}
\by Ю.~А.~Волков, К.~К.~Иноземцева, М.~Б.~Марков, И.~А.~Тараканов
\paper Математическая модель радиационного нагрева изделий микроэлектроники
\jour Препринты ИПМ им.~М.~В.~Келдыша
\yr 2018
\papernumber 099
\totalpages 12
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ipmp2459}
\crossref{https://doi.org/10.20948/prepr-2018-99}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34923970}
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/ipmp2459 http://mi.mathnet.ru/rus/ipmp/y2018/p99
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
|
Просмотров: |
Эта страница: | 92 | Полный текст: | 27 | Литература: | 2 |
|