RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2010, том 92, выпуск 3, страницы 183–188 (Mi jetpl1376)  

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi$_4$Te$_7$

С. В. Еремеевab, Ю. М. Коротеевb, Е. В. Чулковcd

a Томский государственный университет
b Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
c Departamento de Física de Materiales, UPV/EHU, 20080 San Sebastián, Spain
d Donostia International Physics Center (DIPC) and Centro Mixto CSIC–UPV/EHU

Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования объемной и поверхностной электронной структуры PbBi$_4$Te$_7$. Соединение PbBi$_4$Te$_7$ имеет слоистую структуру, содержащую чередующиеся в направлении гексагональной оси пяти- (Bi$_2$Te$_3$) и семислойные (PbBi$_2$Te$_4$) блоки. На основе анализа вызванной спин-орбитальным взаимодействием инвертированности краев запрещенной щели показано, что данное соединение является трехмерным топологическим изолятором. При этом топологические свойства соединения определяются, в основном, слоями PbBi$_2$Te$_4$. На поверхности PbBi$_4$Te$_7$(0001) в окрестности точки $\bar\Gamma$ формируется дираковский конус вне зависимости от типа слоя, формирующего поверхность (Bi$_2$Te$_3$ или PbBi$_2$Te$_4$). Показано, что локализация данного состояния может иметь не только поверхностный, но и глубоко подповерхностный характер.

Полный текст: PDF файл (556 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, 92:3, 161–165

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 21.06.2010

Образец цитирования: С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков, “О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi$_4$Te$_7$”, Письма в ЖЭТФ, 92:3 (2010), 183–188; JETP Letters, 92:3 (2010), 161–165

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EreKorЧул10}
\by С.~В.~Еремеев, Ю.~М.~Коротеев, Е.~В.~Чулков
\paper О~возможности существования глубоких подповерхностных состояний в~топологических изоляторах: система PbBi$_4$Te$_7$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 92
\issue 3
\pages 183--188
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1376}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 92
\issue 3
\pages 161--165
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010150087}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000282876600008}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77958040077}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl1376
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v92/i3/p183

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Reuter M.G., Seideman T., Ratner M.A., “Probing the surface-to-bulk transition: A closed-form constant-scaling algorithm for computing subsurface Green functions”, Physical Review B, 83:8 (2011), 085412  crossref  adsnasa  isi  elib
    2. Т. В. Меньщикова, С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, В. М. Кузнецов, Е. В. Чулков, “Тройные соединения на основе бинарных топологических изоляторов как эффективный способ модификации конуса Дирака”, Письма в ЖЭТФ, 93:1 (2011), 18–23  mathnet; JETP Letters, 93:1 (2011), 15–20  crossref  isi
    3. Eremeev S.V., Bihlmayer G., Vergniory M., Koroteev Yu.M., Menshchikova T.V., Henk J., Ernst A., Chulkov E.V., “Ab initio electronic structure of thallium-based topological insulators”, Physical Review B, 83:20 (2011), 205129  crossref  adsnasa  isi  elib
    4. И. В. Силкин, Ю. М. Коротеев, С. В. Еремеев, Г. Бильмайер, Е. В. Чулков, “Трехмерные и двумерные топологические изоляторы в слоистых соединениях Pb$_2$Sb$_2$Te$_5$, Pb$_2$Bi$_2$Te$_5$ и Pb$_2$Bi$_2$Se$_5$”, Письма в ЖЭТФ, 94:3 (2011), 234–239  mathnet; I. V. Silkin, Yu. M. Koroteev, S. V. Eremeev, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, “Three- and two-dimensional topological insulators in Pb$_2$Sb$_2$Te$_5$, Pb$_2$Bi$_2$Te$_5$, and Pb$_2$Bi$_2$Se$_5$ layered compounds”, JETP Letters, 94:3 (2011), 217–221  crossref  isi
    5. M. G. Vergniory, T. V. Men'shikova, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, “Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi$_2$Te$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 95:4 (2012), 230–235  mathnet  elib; JETP Letters, 95:4 (2012), 213–218  crossref  isi  elib
    6. Yan B., Zhang Sh.-Ch., “Topological Materials”, Rep. Prog. Phys., 75:9 (2012), 096501  crossref  adsnasa  isi  elib
    7. Kuroda K., Miyahara H., Ye M., Eremeev S.V., Koroteev Yu.M., Krasovskii E.E., Chulkov E.V., Hiramoto S., Moriyoshi C., Kuroiwa Y., Miyamoto K., Okuda T., Arita M., Shimada K., Namatame H., Taniguchi M., Ueda Y., Kimura A., “Experimental Verification of Pbbi2Te4 as a 3D Topological Insulator”, Phys. Rev. Lett., 108:20 (2012), 206803  crossref  adsnasa  isi  elib
    8. Eremeev S.V. Vergniory M.G. Menshchikova T.V. Shaposhnikov A.A. Chulkov E.V., “The Effect of Van der Waal's Gap Expansions on the Surface Electronic Structure of Layered Topological Insulators”, New J. Phys., 14 (2012), 113030  crossref  isi  elib
    9. Гусейнов Ф.Н., Бабанлы М.Б., Зломанов В.П., Юсибов Ю.А., “Фазовые равновесия в системе Tl2Te-PbTe-Bi2Te3”, Журнал неорганической химии, 57:10 (2012), 1473–1473  isi  elib; Guseinov F.N. Babanly M.B. Zlomanov V.P. Yusibov Yu.A., “Phase Equilibria in the Tl2Te-PbTe-Bi2Te3 System”, Russ. J. Inorg. Chem., 57:10 (2012), 1387–1392  crossref  isi  elib
    10. Vergniory M.G. Menshchikova T.V. Eremeev S.V. Chulkov E.V., “Bulk and Surface Electronic Structure of Snbi4Te7 Topological Insulator”, Appl. Surf. Sci., 267 (2013), 146–149  crossref  adsnasa  isi  elib
    11. Silkin I.V., Koroteev Yu.M., Bihlmayer G., Chulkov E.V., “Influence of the Ge-Sb Sublattice Atomic Composition on the Topological Electronic Properties of Ge2Sb2Te5”, Appl. Surf. Sci., 267 (2013), 169–172  crossref  adsnasa  isi  elib
    12. Tkachov G., Hankiewicz E.M., “Spin-Helical Transport in Normal and Superconducting Topological Insulators”, Phys. Status Solidi B-Basic Solid State Phys., 250:2 (2013), 215–232  crossref  adsnasa  isi  elib
    13. Okuda T., Maegawa T., Ye M., Shirai K., Warashina T., Miyamoto K., Kuroda K., Arita M., Aliev Z.S., Amiraslanov I.R., Babanly M.B., Chulkov E.V., Eremeev S.V., Kimura A., Namatame H., Taniguchi M., “Experimental Evidence of Hidden Topological Surface States in Pbbi4Te7”, Phys. Rev. Lett., 111:20 (2013), 206803  crossref  adsnasa  isi  elib
    14. Aliev Z.S., Ibadova G.I., Tedenac J.-C., Babanly M.B., “Phase Equilibria in the Ybte-Sb2Te3-Te System”, J. Alloy. Compd., 618 (2015), 167–171  crossref  isi
    15. Li R. Xie Q. Cheng X. Li D. Li Y. Chen X.-Q., “First-Principles Study of the Large-Gap Three-Dimensional Topological Insulators M3Bi2 (M = Ca, Sr, Ba)”, Phys. Rev. B, 92:20 (2015), 205130  crossref  adsnasa  isi  elib
    16. Vergniory M.G. Menshchikova T.V. Silkin I.V. Koroteev Yu.M. Eremeev S.V. Chulkov E.V., “Electronic and Spin Structure of a Family of Sn-Based Ternary Topological Insulators”, Phys. Rev. B, 92:4 (2015), 045134  crossref  adsnasa  isi
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:191
    Полный текст:51
    Литература:12

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2017