RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2010, том 92, выпуск 5, страницы 351–356 (Mi jetpl1405)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs(001) с адсорбированными слоями сурьмы и цезия

А. Г. Журавлевab, К. В. Торопецкийab, П. А. Половодовab, В. Л. Альперовичab

a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: В экспериментах по адсорбции и термодесорбции цезия на поверхностях GaAs(001) с различными атомными реконструкциями и составом (обогащенных катионом – галлием, и анионами – мышьяком и сурьмой) установлена корреляция в поведении атомной структуры и поверхностных электронных состояний, определяющих изгиб зон. Адсорбция Cs на анион-обогащенных поверхностях приводит как к сходному разупорядочению атомной структуры, так и к близким дозовым зависимостям изгиба зон, в то время как на Ga-обогащенной поверхности адсорбция происходит упорядоченно и приводит к качественно иной дозовой зависимости, содержащей несколько максимумов и минимумов. При десорбции цезия и в последующих адсорбционно-десорбционных циклах обнаружено стабилизирующее влияние сурьмы на атомную структуру и электронные состояния поверхности Cs/Sb/GaAs(001).

Полный текст: PDF файл (376 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, 92:5, 315–320

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 14.07.2010

Образец цитирования: А. Г. Журавлев, К. В. Торопецкий, П. А. Половодов, В. Л. Альперович, “Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs(001) с адсорбированными слоями сурьмы и цезия”, Письма в ЖЭТФ, 92:5 (2010), 351–356; JETP Letters, 92:5 (2010), 315–320

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuTorPol10}
\by А.~Г.~Журавлев, К.~В.~Торопецкий, П.~А.~Половодов, В.~Л.~Альперович
\paper Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs(001) с~адсорбированными слоями сурьмы и цезия
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 92
\issue 5
\pages 351--356
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1405}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 92
\issue 5
\pages 315--320
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010170108}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000284277800010}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-78549268466}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl1405
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v92/i5/p351

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Zhuravlev A.G. Romanov A.S. Alperovich V.L., Appl. Phys. Lett., 105:25 (2014), 251602  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:143
    Полный текст:36
    Литература:26

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019