RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2010, том 92, выпуск 6, страницы 429–437 (Mi jetpl1420)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста

C. А. Тийс, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников

Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Представлены результаты структурных и морфологических исследований роста Gе на поверхности Si(111) на начальных стадиях эпитаксии с помощью сканирующей туннельной микроскопии и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения. Эпитаксия Ge осуществлялась в диапазоне температур $300$$550^\circ$C в квазиравновесных условиях роста при малых скоростях осаждения $10^{-3}$$10^{-2}$ бислоя в минуту. Для нанокластеров экспериментально зарегистрированы стадии их образования и распада в результате перераспределения атомов Ge в двумерные псевдоморфные островки Ge до образования сплошного смачивающего слоя. Выполнен анализ мест преимущественного зарождения трехмерных островков Ge на смачивающем слое, образующемся после срастания двумерных островков. При изменении напряженного состояния трехмерных островков Ge на их поверхности происходят фазовые переходы $c2\times8\longrightarrow7\times7\longrightarrowc2\times8$, обусловленные латеральным разрастанием островков и пластической релаксацией напряжений несоответствия. В процессе релаксации в границе раздела накапливаются дислокации несоответствия, а также образуются два типа ступеней высотой ниже 1 бислоя на поверхности трехмерных островков.

Полный текст: PDF файл (1201 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, 92:6, 388–395

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 04.08.2010

Образец цитирования: C. А. Тийс, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников, “Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста”, Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010), 429–437; JETP Letters, 92:6 (2010), 388–395

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TeyTruIli10}
\by C.~А.~Тийс, Е.~М.~Труханов, А.~С.~Ильин, А.~К.~Гутаковский, А.~В.~Колесников
\paper Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в~квазиравновесных условиях роста
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 92
\issue 6
\pages 429--437
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1420}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 92
\issue 6
\pages 388--395
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010180062}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000284652400006}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-78649785006}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl1420
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v92/i6/p429

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. А. А. Шкляев, К. Н. Романюк, А. В. Латышев, А. В. Аржанников, “Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111)”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 477–480  mathnet; A. A. Shklyaev, K. N. Romanyuk, A. V. Latyshev, A. V. Arzhannikov, “Effect of dislocations on the shape of islands during silicon growth on the oxidized Si(111) surface”, JETP Letters, 94:6 (2011), 442–445  crossref  isi
    2. К. Н. Романюк, А. А. Шкляев, Б. З. Ольшанецкий, А. В. Латышев, “Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)–Bi–$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$”, Письма в ЖЭТФ, 93:11 (2011), 740–745  mathnet; K. N. Romanyuk, A. A. Shklyaev, B. Z. Olshanetsky, A. V. Latyshev, “Formation of Ge clusters at a Si(111)-Bi-$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$ surface”, JETP Letters, 93:11 (2011), 661–666  crossref  isi
    3. C. А. Тийс, “Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si”, Письма в ЖЭТФ, 96:12 (2012), 884–893  mathnet; S. A. Teys, “Features of atomic processes at the formation of a wetting layer and nucleation of three-dimensional Ge islands on Si(111) and Si(100) surfaces”, JETP Letters, 96:12 (2012), 794–802  crossref  isi  elib
    4. Лошкарев И.Д., Труханов Е.М., Романюк К.Н., Качанова М.М., “Теоретическое и экспериментальное определение начальной стадии пластической релаксации напряжений несоответствия в гетеросистеме подложка(111)–островки пленки”, Известия российской академии наук. серия физическая, 76:3 (2012), 425–425  elib
    5. Zhachuk R., Teys S., Coutinho J., “Strain-Induced Structure Transformations on Si(111) and Ge(111) Surfaces: a Combined Density-Functional and Scanning Tunneling Microscopy Study”, J. Chem. Phys., 138:22 (2013), 224702  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    6. Grimm A., Fissel A., Bugiel E., Wietler T.F., “In situ observation of low temperature growth of Ge on Si(111) by reflection high energy electron diffraction”, Appl. Surf. Sci., 370 (2016), 40–48  crossref  isi  elib  scopus
    7. Teys S.A., “Different growth mechanisms of Ge by Stranski-Krastanow on Si (111) and (001) surfaces: An STM study”, Appl. Surf. Sci., 392 (2017), 1017–1025  crossref  isi  elib  scopus
    8. Teys S.A., “Atomic Processes in the Formation of Strained Ge Layers on Si(111) and (001) Substrates Within the Stransky-Krastanov Growth Mechanism”, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications, ed. Latyshev A. Dvurechenskii A. Aseev A., Elsevier Science BV, 2017, 279–295  crossref  isi  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:154
    Полный текст:34
    Литература:12

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019