RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2005, том 82, выпуск 6, страницы 412–417 (Mi jetpl1568)  

ПО ИТОГАМ ПРОЕКТОВ РОССИЙСКОГО ФОНДА ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

Quenched Disorder Effects in Electron Transport in Si Inversion Layers in the Dilute Regime

V. M. Pudalova, M. E. Gershensonb, N. N. Klimovbc, H. Kojimab

a P. N. Lebedev Physical Institute RAS
b Rutgers, The State University of New Jersey, Department of Physics & Astronomy
c P. N. Lebedev Physics Research Center

Аннотация: In order to reveal the effects of disorder in the vicinity of the apparent metal-insulator transition in 2D, we studied the electron transport in the same Si- device after cooling it down to 4 K at different fixed values of the gate voltage $V^\mathrm{cool}$. Different $V^\mathrm{cool}$ did not modify significantly either the momentum relaxation rate or the strength of electron-electron interactions. However, the temperature dependences of the resistance and the magnetoresistance in parallel magnetic fields, in the vicinity of the 2D metal-insulator transition, carry a strong imprint of the quenched disorder determined by $V^\mathrm{cool}$. This demonstrates that the observed transition between metallic and insulating regimes, besides universal effects of electron-electron interaction, depends on a sample-specific localized states (disorder). We report an evidence for a weak exchange in electrons between the reservoirs of extended and resonant localized states which occur at low densities. The strong cool-down dependent variations of $\rho(T)$, we believe, are evidence for developing spatially inhomogeneous state in the critical regime.

Полный текст: PDF файл (527 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2005, 82:6, 371–376

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 71.27.+a, 71.30.+h, 72.20.Ee, 73.40.Qv
Поступила в редакцию: 21.07.2005
Язык публикации: английский

Образец цитирования: V. M. Pudalov, M. E. Gershenson, N. N. Klimov, H. Kojima, “Quenched Disorder Effects in Electron Transport in Si Inversion Layers in the Dilute Regime”, Письма в ЖЭТФ, 82:6 (2005), 412–417; JETP Letters, 82:6 (2005), 371–376

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PudGerKli05}
\by V.~M.~Pudalov, M.~E.~Gershenson, N.~N.~Klimov, H.~Kojima
\paper Quenched Disorder Effects in Electron Transport in Si Inversion Layers in the Dilute Regime
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2005
\vol 82
\issue 6
\pages 412--417
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1568}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2005
\vol 82
\issue 6
\pages 371--376
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.2137375}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000233569500008}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-28644441031}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl1568
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v82/i6/p412

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:135
    Полный текст:30
    Литература:27
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019