RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2005, том 82, выпуск 10, страницы 747–751 (Mi jetpl1626)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Поперечный перенос носителей заряда в полупроводниковых селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs при продольном протекании тока

Е. И. Лонскаяa, О. А. Рябушкинab

a Институт радиотехники и электроники РАН, 141190 Фрязино, Московская обл., Россия
b Московский физико-технический институт (государственный университет)

Аннотация: Исследовались спектры фотоотражения селективно-легированных гетероструктур GaAs/AlGaAs при пропускании постоянного электрического тока вдоль слоев структуры. Разработанная модель спектров позволила вычислить изменения внутренних поперечных электрических полей при протекании продольного тока. Экспериментально доказано, что даже слабый разогрев электронов в таких структурах приводит к пространственному перераспределению электронов в направлении, поперечном слоям гетероструктуры.

Полный текст: PDF файл (637 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2005, 82:10, 664–668

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: \vspace*{-3mm}73.40.Kp, 78.40.Fy, 78.66.Fd
Поступила в редакцию: 17.10.2005

Образец цитирования: Е. И. Лонская, О. А. Рябушкин, “Поперечный перенос носителей заряда в полупроводниковых селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs при продольном протекании тока”, Письма в ЖЭТФ, 82:10 (2005), 747–751; JETP Letters, 82:10 (2005), 664–668

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LonRya05}
\by Е.~И.~Лонская, О.~А.~Рябушкин
\paper Поперечный перенос носителей заряда в полупроводниковых селективно-легированных гетероструктурах GaAs/AlGaAs при продольном протекании тока
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2005
\vol 82
\issue 10
\pages 747--751
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1626}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2005
\vol 82
\issue 10
\pages 664--668
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.2166916}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000234812000010}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-31344451869}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl1626
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v82/i10/p747

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Ryabushkin O.A., Lonskaya E.I., Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings, 893, 2007, 1499–1500  crossref  adsnasa  isi  scopus
    2. Lonskaya E., Ryabushkin O., Phys. Status Solidi A-Appl. Mat., 204:2 (2007), 343–353  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:412
    Полный текст:58
    Литература:24
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020