RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2011, том 93, выпуск 10, страницы 647–652 (Mi jetpl1908)  

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)

О. Е. Терещенкоab, Д. В. Дмитриевab, А. И. Тороповab, С. В. Еремеевcd, С. Е. Кульковаcd

a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Институт физики прочности и материаловедения СО РАН
d Томский государственный университет им. В. В. Куйбышева

Аннотация: Экспериментально и расчетами из первых принципов изучен эффект уменьшения энергии связи поверхностных атомов мышьяка при адсорбции Cs на As-стабилизированную поверхность GaAs(001)-(2$\times$4). Cs-индуцированное перераспределение заряда на поверхностных атомах вызывает уменьшение электронной плотности в связи As-Ga верхнего слоя поверхности GaAs(001), что уменьшает энергию связи As-Ga и, как следствие, приводит к уменьшению энергии активации диффузии и десорбции атомов мышьяка. Увеличение коэффициента диффузии поверхностных атомов наряду со свойством Cs сегрегировать на поверхность растущей пленки полупроводника позволили использовать цезий в качестве сурфактанта при низкотемпературном росте GaAs методом молекулярно лучевой эпитаксии.

Полный текст: PDF файл (303 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, 93:10, 585–590

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 05.04.2011

Образец цитирования: О. Е. Терещенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова, “Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011), 647–652; JETP Letters, 93:10 (2011), 585–590

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerDmiTor11}
\by О.~Е.~Терещенко, Д.~В.~Дмитриев, А.~И.~Торопов, С.~В.~Еремеев, С.~Е.~Кулькова
\paper Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 93
\issue 10
\pages 647--652
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1908}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 93
\issue 10
\pages 585--590
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011100122}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000293239600008}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-79960801756}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl1908
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v93/i10/p647

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:182
    Полный текст:47
    Литература:25
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020