RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2008, том 88, выпуск 5, страницы 370–373 (Mi jetpl217)  

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Effect of Coulomb scattering on graphene conductivity

V. Vyurkova, V. Ryzhiibc

a Institute of Physics and Technology RAS, 117218 Moscow, Russia
b University of Aizu, Aizu-Wakamatsu 965-8580
c Japan Science and Technology Agency, CREST, 107-0075 Tokyo, Japan

Аннотация: The effect of Coulomb scattering on graphene conductivity in field effect transistor structures is discussed. Inter-particle scattering (electron-electron, hole-hole, and electron-hole) and scattering on charged defects are taken into account in a wide range of gate voltages. It is shown that an intrinsic conductivity of graphene (purely ambipolar system where both electron and hole densities exactly coincide) is defined by strong electron-hole scattering. It has a universal value independent of temperature. We give an explicit derivation based on scaling theory. When there is even a small discrepancy in electron and hole densities caused by applied gate voltage the conductivity is determined by both strong electron-hole scattering and weak external scattering: on defects or phonons. We suggest that a density of charged defects (occupancy of defects) depends on Fermi energy to explain a sub-linear dependence of conductivity on a fairly high gate voltage observed in experiments. We also eliminate contradictions between experimental data obtained in deposited and suspended graphene structures regarding graphene conductivity.

Полный текст: PDF файл (749 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2008, 88:5, 322–325

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 73.63.-b, 81.05.Uw
Поступила в редакцию: 03.07.2008
Язык публикации: английский

Образец цитирования: V. Vyurkov, V. Ryzhii, “Effect of Coulomb scattering on graphene conductivity”, Письма в ЖЭТФ, 88:5 (2008), 370–373; JETP Letters, 88:5 (2008), 322–325

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VyuRyz08}
\by V.~Vyurkov, V.~Ryzhii
\paper Effect of Coulomb scattering on graphene conductivity
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2008
\vol 88
\issue 5
\pages 370--373
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl217}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2008
\vol 88
\issue 5
\pages 322--325
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364008170074}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000262832500007}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-59749088149}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl217
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v88/i5/p370

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Ryzhii V., Ryzhii M., Satou A., Otsuji T., Kirova N., Journal of Applied Physics, 105:10 (2009), 104510  crossref  adsnasa  isi  scopus
    2. Mueller M., Fritz L., Sachdev S., Schmalian J., Advances in Theoretical Physics, AIP Conference Proceedings, 1134, 2009, 170–177  crossref  zmath  adsnasa  isi  scopus
    3. Mueller M., Hai Chau Nguyen, New Journal of Physics, 13 (2011), 035009  crossref  adsnasa  isi  scopus
    4. Gornyi I.V., Kachorovskii V.Yu., Mirlin A.D., Phys. Rev. B, 86:16 (2012), 165413  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    5. Ray R., Eur. Phys. J. B, 85:10 (2012), 334  crossref  adsnasa  isi  scopus
    6. Svintsov D. Vyurkov V. Yurchenko S. Otsuji T. Ryzhii V., J. Appl. Phys., 111:8 (2012), 083715  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    7. Kuznetsova I.E., Zaitsev B.D., Anisimkin V.I., Teplykh A.A., Shikhabudinov A.M., Kolesov V.V., Yakunin V.G., J. Appl. Phys., 115:4 (2014), 044504  crossref  isi  elib  scopus
    8. Ryzhii V., Ryzhii M., Svintsov D., Leiman V., Maltsev P.P., Ponomarev D.S., Mitin V., Shur M.S., Otsuji T., J. Appl. Phys., 124:11 (2018), 114501  crossref  isi  scopus
    9. Dmitriev S.F., Malikov V.N., Ishkov A.V., Katasonov A.O., Sagalakov A.M., International Scientific and Practical Conference on Innovations in Engineering and Technology, IOP Conference Series-Materials Science and Engineering, 441, ed. Sapozhkov S., IOP Publishing Ltd, 2018  crossref  isi
    10. Ryzhii V., Ponomarev D.S., Ryzhii M., Mitin V., Shur M.S., Otsuji T., Opt. Mater. Express, 9:2 (2019), 585–597  crossref  isi  scopus
    11. Ryzhii V., Ryzhii M., Ponomarev D.S., Leiman V.G., Mitin V., Shur M.S., Otsuji T., J. Appl. Phys., 125:15 (2019), 151608  crossref  isi  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:146
    Полный текст:62
    Литература:33
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020