RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2004, том 79, выпуск 1, страницы 25–29 (Mi jetpl2199)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

АТОМЫ, СПЕКТРЫ, ИЗЛУЧЕНИЯ

Исследование механизмов ионизации акцепторной примеси алюминия в кремнии

Т. Н. Мамедовa, Д. Г. Андриановb, Д. Герлахc, В. Н. Горелкинd, А. В. Стойковa, У. Циммерманнc

a Объединенный институт ядерных исследований, 141980 Дубна, Московская обл., Россия
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", 109017 Москва, Россия
c Paul Scherrer Institute, CH-5232 Villigen PSI, Switzerland
d Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Московская обл., Россия

Аннотация: Исследуются процессы ионизации мелких акцепторных центров (АЦ) в кремнии. Примесные атомы $_\mu$Al в исследуемых образцах кристаллического кремния с примесью фосфора ($1.6\cdot10^{13}$, $2.7\cdot10^{13}$ и $2.3\cdot10^{15}$ см$^{-3}$) и бора ($1.3\cdot10^{15}$ см$^{-3}$) создавались путем имплантации отрицательных мюонов. Установлено, что как в $p$-типа кремнии, так и в кремнии $n$-типа с концентрацией примеси $\lesssim10^{15}$ см$^{-3}$, основным механизмом ионизации акцепторной примеси Al при $T>45$ K является тепловая ионизация. Скорость тепловой ионизации АЦ Al в Si изменяется от $\sim10^5$ до $\sim10^6$ с$^{-1}$ в интервале температур $45$$55$ K.

Полный текст: PDF файл (304 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2004, 79:1, 21–24

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 71.55.Cn, 76.75.+i
Поступила в редакцию: 12.11.2003

Образец цитирования: Т. Н. Мамедов, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Исследование механизмов ионизации акцепторной примеси алюминия в кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 79:1 (2004), 25–29; JETP Letters, 79:1 (2004), 21–24

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MamAndHer04}
\by Т.~Н.~Мамедов, Д.~Г.~Андрианов, Д.~Герлах, В.~Н.~Горелкин, А.~В.~Стойков, У.~Циммерманн
\paper Исследование механизмов ионизации акцепторной примеси алюминия в кремнии
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2004
\vol 79
\issue 1
\pages 25--29
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2199}
\adsnasa{http://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004JETPL..79...21M}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2004
\vol 79
\issue 1
\pages 21--24
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1675914}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-20444442734}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl2199
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v79/i1/p25

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Т. Н. Мамедов, Д. Андрейка, Д. Г. Андрианов, Д. Герлах, В. Н. Горелкин, К. И. Грицай, В. А. Жуков, А. В. Стойков, У. Циммерманн, “Влияние одноосного статического давления на поведение акцепторной примеси алюминия в кремнии”, Письма в ЖЭТФ, 80:5 (2004), 385–388  mathnet  adsnasa; JETP Letters, 80:5 (2004), 339–342  crossref
    2. Mamedov T.N., Andreika D., Baturin A.S., Herlach D., Gorelkin V.N., Gritsaj K.I., Ralchenko V.G., Stoykov A.V., Zhukov V.A., Zimmermann U., “Behavior of shallow acceptor impurities in uniaxially stressed silicon and in synthetic diamond studied by mu-SR”, Physica B-Condensed Matter, 374 (2006), 390–394  crossref  adsnasa  isi  scopus
    3. Stoykov A., Herlach D., Scheuermann R., Zimmermann U., Gritsay K., Mamedov T., “Negative muon spin rotation study of acceptor centers in SiC”, Physica B-Condensed Matter, 404:5–7 (2009), 824–826  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:126
    Полный текст:26
    Литература:26

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019