RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2008, том 88, выпуск 8, страницы 597–600 (Mi jetpl258)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)

К. В. Торопецкийab, О. Е. Терещенкоab, А. С. Тереховba

a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Экспериментально установлено, что вероятность Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs,О) близка к единице только тогда, когда работа выхода полупроводника не превышает $\sim3.1\pm0.1 $эВ. Измеренное положение энергетического порога адсорбции соответствует, по-видимому, энергии незаполненного уровня антисвязывающей $2\pi^*$-орбитали молекулы О$_2$, находящейся в предадсорбционном состоянии на поверхности полупроводника.

Полный текст: PDF файл (554 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2008, 88:8, 520–523

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 29.30.Dn, 33.15.Fm, 65.40.Gh, 68.43.Mn, 68.47.Fg, 81.05.Ea
Поступила в редакцию: 20.08.2008

Образец цитирования: К. В. Торопецкий, О. Е. Терещенко, А. С. Терехов, “Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)”, Письма в ЖЭТФ, 88:8 (2008), 597–600; JETP Letters, 88:8 (2008), 520–523

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TorTerTer08}
\by К.~В.~Торопецкий, О.~Е.~Терещенко, А.~С.~Терехов
\paper Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2008
\vol 88
\issue 8
\pages 597--600
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl258}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2008
\vol 88
\issue 8
\pages 520--523
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364008200113}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000262698400011}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-60849114781}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl258
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v88/i8/p597

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. В. В. Бакин, К. В. Торопецкий, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, Письма в ЖЭТФ, 101:6 (2015), 414–418  mathnet  crossref  elib; V. V. Bakin, K. V. Toropetsky, H. E. Sheibler, A. S. Terekhov, JETP Letters, 101:6 (2015), 380–384  crossref  isi  elib
    2. Bakin V.V. Toropetsky K.V. Scheibler H.E. Terekhov A.S. Jones L.B. Militsyn B.L. Noakes T.C.Q., Appl. Phys. Lett., 106:18 (2015), 183501  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:134
    Полный текст:52
    Литература:31

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019