RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2002, том 76, выпуск 3, страницы 223–1 (Mi jetpl2890)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Электронные свойства новых сверхпроводников Ca(Al$_x$Si$_{1-x})_2$ и Sr(Ga$_x$Si$_{1-x})_2$ в кристаллическом и нанотубулярном состояниях

И. Р. Шеин, В. В. Ивановская, Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский

Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург

Аннотация: Первопринципным полнопотенциальным методом ЛМТО изучена зонная структуры новых слоистых (типа AlB$_2$) сверхпроводников Ca(Al$_x$Si$_{1- x})_2$ и Sr(Ga$_x$Si$_{1-x})_2$. Показано, что сверхпроводящие свойства тройных силицидов обусловлены высокой плотностью (Ca,Sr)$d$-состояний вблизи уровня Ферми, а рост $T_C$ при переходе Sr(Ga$_x$Si$_{1-x})_2\rightarrow Ca(Al_xSi_{1-x})_2$ связан с увеличением фононных частот вследствие уменьшения массы атомов. Выполнено моделирование электронных свойств гипотетических $(11,11)$ и $(20,0)$ CaAlSi и SrGaSi нанотрубок. При переходе от кристаллического к нанотубулярному состоянию силицидные системы сохраняют металлоподобные свойства. Методами получения силицидных нанотрубок могут стать темплатный и метод «свертки пленок».

Полный текст: PDF файл (344 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, 76:3, 189–193

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 71.20.Cf, 71.45.Nt, 71.90.+q
Поступила в редакцию: 26.06.2002
Исправленный вариант: 08.07.2002

Образец цитирования: И. Р. Шеин, В. В. Ивановская, Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский, “Электронные свойства новых сверхпроводников Ca(Al$_x$Si$_{1-x})_2$ и Sr(Ga$_x$Si$_{1-x})_2$ в кристаллическом и нанотубулярном состояниях”, Письма в ЖЭТФ, 76:3 (2002), 223–1; JETP Letters, 76:3 (2002), 189–193

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SheIvaMed02}
\by И.~Р.~Шеин, В.~В.~Ивановская, Н.~И.~Медведева, А.~Л.~Ивановский
\paper Электронные свойства новых сверхпроводников Ca(Al$_x$Si$_{1-x})_2$ и Sr(Ga$_x$Si$_{1-x})_2$ в кристаллическом и нанотубулярном состояниях
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 76
\issue 3
\pages 223--1
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2890}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 76
\issue 3
\pages 189--193
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1514766}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0037495432}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl2890
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i3/p223

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Lu Ya., Tada T., Toda Y., Ueda Sh., Wu J., Li J., Horiba K., Kumigashira H., Zhang Ya., Hosono H., Phys. Rev. B, 95:12 (2017), 125117  crossref  isi  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:88
    Полный текст:26
    Литература:21
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019