RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2012, том 96, выпуск 12, страницы 884–893 (Mi jetpl3314)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si

C. А. Тийс

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: С помощью метода СТМ исследовались промежуточные стадии формирования смачивающего слоя Ge на поверхностях (111) и (001) Si в квазиравновесных условиях роста. Продемонстрированы процессы перераспределения атомов Ge и релаксации напряжений несоответствия посредством формирования поверхностных структур пониженной плотности и граней, отличных от ориентации подложки. Проведен анализ мест зарождения новых трехмерных островков Ge после образования смачивающего слоя. Показаны как принципиальные отличия, так и общие тенденции протекания атомных процессов при формировании смачивающих слоев на поверхностях (111) и (100) Si. Плотность трехмерных зародышей на Si(111) определяется изменившимися условиями поверхностной диффузии адатомов Ge после смены поверхностной структуры. На грани Si(100) переход к трехмерному росту определяется зарождением одиночных граней $\lbrace105\rbrace$ на шероховатой поверхности Ge(100).

Полный текст: PDF файл (873 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2012, 96:12, 794–802

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 07.11.2012

Образец цитирования: C. А. Тийс, “Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si”, Письма в ЖЭТФ, 96:12 (2012), 884–893; JETP Letters, 96:12 (2012), 794–802

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Tey12}
\by C.~А.~Тийс
\paper Особенности атомных процессов при формировании смачивающего слоя и
зарождении трехмерных островков Ge на ориентациях (111) и (100) Si
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2012
\vol 96
\issue 12
\pages 884--893
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3314}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=20431741}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2012
\vol 96
\issue 12
\pages 794--802
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364012240113}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000315504100010}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84874523835}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl3314
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v96/i12/p884

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Yuryev V.A. Arapkina L.V. Storozhevykh M.S. Uvarov O.V. Kalinushkin V.P., Nanotechnology VI, Proceedings of SPIE, 8766, ed. Adelung R., SPIE-Int Soc Optical Engineering, 2013  crossref  isi  scopus
    2. Arapkina L.V. Yuryev V.A., J. Appl. Phys., 114:10 (2013), 104304  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    3. Shklyaev A.A., Romanyuk K.N., Kosolobov S.S., Surf. Sci., 625 (2014), 50–56  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    4. Yuryev V.A. Arapkina L.V. Storozhevykh M.S. Uvarov O.V. Kalinushkin V.P., J. Nanoelectron. Optoelectron., 9:2 (2014), 196–218  crossref  isi  elib
    5. Ghosh P., Nath P., Ranganathan M., Surf. Sci., 639 (2015), 96–101  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    6. Timofeev V.A., Nikiforov A.I., Zinovyev V.A., Teys S.A., Pchelyakov O.P., J. Nanoelectron. Optoelectron., 10:1 (2015), 99–103  crossref  isi  elib  scopus
    7. S. A. Teys, Appl. Surf. Sci., 392 (2017), 1017–1025  crossref  isi  elib  scopus
    8. S. A. Teys, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications, eds. A. Latyshev, A. Dvurechenskii, A. Aseev, Elsevier Science BV, 2017, 279–295  crossref  isi  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:99
    Полный текст:19
    Литература:31
    Первая стр.:12
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019