RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2009, том 89, выпуск 2, страницы 103–106 (Mi jetpl346)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Влияние продольного магнитного поля на гистерезис магнетосопротивления двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла

М. В. Буданцевa, А. Г. Погосовa, А. К. Бакаровa, А. И. Тороповa, Ж. К. Портальbcd

a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
b GHMFL-CNRS, BP-166, F-38042 Grenoble, Cedex 9, France
c INSA-Toulouse, Toulouse 31077, Cedex 4, France
d Institut Universitaire de France, Toulouse, France

Аннотация: Изучено влияние продольного магнитного поля на особенности магнетосопротивления узкого проводящего канала, помещенного в бассейн с макроскопическим двумерным электронным газом, выражающиеся в гистерезисном поведении магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла. Установлено, что петли гистерезиса, наблюдаемые в различных диапазонах факторов заполнения, можно разделить на две группы, отличающиеся как откликом на продольное магнитное поле, так и температурной зависимостью. Основные особенности, наблюдаемые вблизи целочисленных факторов заполнения $\nu=1$ и $\nu=2$, практически не зависят от продольного магнитного поля, что указывает на то, что их происхождение не связано со спиновыми эффектами, в то время как дополнительные особенности, наблюдаемые при $\nu\approx 1.8$ и $\nu\approx 2.2$, подавляются продольным магнитным полем $B_\|\approx 6$ Тл и практически не зависят от температуры в диапазоне от 45 мК до 1 К.

Полный текст: PDF файл (574 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2009, 89:2, 92–95

Реферативные базы данных:

PACS: 71.45.-d, 73.23.-b, 73.43.-f
Поступила в редакцию: 18.12.2008

Образец цитирования: М. В. Буданцев, А. Г. Погосов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Порталь, “Влияние продольного магнитного поля на гистерезис магнетосопротивления двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 103–106; JETP Letters, 89:2 (2009), 92–95

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BudPogBak09}
\by М.~В.~Буданцев, А.~Г.~Погосов, А.~К.~Бакаров, А.~И.~Торопов, Ж.~К.~Порталь
\paper Влияние продольного магнитного поля на гистерезис магнетосопротивления двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2009
\vol 89
\issue 2
\pages 103--106
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl346}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2009
\vol 89
\issue 2
\pages 92--95
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364009020106}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000264483300010}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-65549102933}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl346
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v89/i2/p103

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Budantsev M.V. Pogosov A.G. Pokhabov D.A. Zhdanov E.Yu. Bakarov A.K. Toropov A.I., 20th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (Hmf-20), Journal of Physics Conference Series, 456, IOP Publishing Ltd, 2013  crossref  isi  scopus
    2. Budantsev M.V. Pokhabov D.A. Pogosov A.G. Zhdanov E.Yu. Bakarov A.K. Toropov A.I., Semiconductors, 48:11 (2014), 1423–1431  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    3. Pokhabov D.A., Pogosov A.G., Budantsev M.V., Zhdanov E.Yu., Bakarov A.K., Semiconductors, 50:8 (2016), 1049–1053  crossref  isi  elib  scopus
    4. Pogosov A.G. Budantsev M.V. Shevyrin A.A. Zhdanov E.Yu. Pokhabov D.A., Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications, ed. Latyshev A. Dvurechenskii A. Aseev A., Elsevier Science BV, 2017, 101–129  crossref  isi  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:122
    Полный текст:44
    Литература:18

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019