RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2014, том 99, выпуск 5, страницы 325–328 (Mi jetpl3680)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Термоэлектрические свойства полупроводника Bi$_2$Te$_3$ с различной концентрацией носителей при высоких давлениях

В. В. Бражкин, А. И. Орлов

Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН

Аннотация: Проведены измерения абсолютной термоЭДС и относительного электросопротивления Bi$_2$Te$_3$ $n$-типа под гидростатическим давлением до $9$ ГПа при комнатной температуре. При давлениях более $5$ ГПа и до фазового перехода ($7$ ГПа) обнаружен аномальный рост термоЭДС для образцов с концентрацией носителей тока менее $10^{19} $см$^{-3}$. У наиболее чистого образца ($n=10^{18} $см$^{-3}$) термоЭДС достигает величины $+150$ мкВ/K. На барических зависимостях электросопротивления $n$-Bi$_2$Te$_3$ не обнаружено никаких аномалий вплоть до давления фазового перехода ($7$ ГПа). Таким образом, в Bi$_2$Te$_3$ под давлением перед фазовым переходом обнаружено состояние с гигантской термоэлектрической эффективностью.

DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14050099

Полный текст: PDF файл (182 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, 99:5, 283–285

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 30.01.2014

Образец цитирования: В. В. Бражкин, А. И. Орлов, “Термоэлектрические свойства полупроводника Bi$_2$Te$_3$ с различной концентрацией носителей при высоких давлениях”, Письма в ЖЭТФ, 99:5 (2014), 325–328; JETP Letters, 99:5 (2014), 283–285

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BraOrl14}
\by В.~В.~Бражкин, А.~И.~Орлов
\paper Термоэлектрические свойства полупроводника Bi$_2$Te$_3$ с различной
концентрацией носителей при высоких давлениях
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 99
\issue 5
\pages 325--328
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3680}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14050099}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=21430582}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 99
\issue 5
\pages 283--285
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014050038}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000336389700009}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=22086720}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84901307671}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl3680
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v99/i5/p325

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Ovsyannikov S.V., Morozova N.V., Korobeinikov I.V., Lukyanova L.N., Manakov A.Y., Likhacheva A.Y., Ancharov A.I., Vokhmyanin A.P., Berger I.F., Usov O.A., Kutasov V.A., Kulbachinskii V.A., Okada T., Shchennikov V.V., Appl. Phys. Lett., 106:14 (2015)  crossref  mathscinet  isi  elib  scopus
    2. Cuenca-Gotor V.P., Sans J.A., Ibanez J., Popescu C., Gomis O., Vilaplana R., Manjon F.J., Leonardo A., Sagasta E., Suarez-Alcubilla A., Gurtubay I.G., Mollar M., Bergara A., J. Phys. Chem. C, 120:34 (2016), 19340–19352  crossref  isi  elib  scopus
    3. A. Gaul, Q. Peng, D. J. Singh, G. Ramanath, T. Borca-Tasciuc, Phys. Chem. Chem. Phys., 19:20 (2017), 12784–12793  crossref  isi  scopus
    4. I. V. Korobeinikov, N. V. Morozova, L. N. Lukyanova, O. A. Usov, V. A. Kulbachinskii, V. V. Shchennikov, S. V. Ovsyannikov, J. Phys. D-Appl. Phys., 51:2 (2018), 025501  crossref  isi  scopus
    5. Morozova N.V., Korobeinikov I.V., Ovsyannikov S.V., J. Appl. Phys., 125:22 (2019), 220901  crossref  isi
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:139
    Полный текст:30
    Литература:30
    Первая стр.:7
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019