RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2014, том 100, выпуск 2, страницы 94–98 (Mi jetpl3781)  

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Органический светоизлучающий диод на основе плоского слоя полупроводниковых нанопластинок CdSe в качестве эмиттера

А. А. Ващенкоa, А. Г. Витухновскийa, В. С. Лебедевab, А. С. Селюковa, Р. Б. Васильевc, М. С. Соколиковаc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.
c Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова

Аннотация: Проведен синтез полупроводниковых коллоидных нанопластинок CdSe с характерным продольным размером $20$$70$ нм и толщиной в несколько атомных слоев. Исследованы спектры и кинетика фотолюминесценции таких квазидвумерных наноструктур (квантовых ям) при комнатных и криогенных температурах. С использованием органических материалов TAZ и TPD, составляющих, соответственно, электронный и дырочный транспортные слои, разработан гибридный светоизлучающий диод, который функционирует на основе синтезированных в работе однокомпонентных нанопластинок в качестве плоского активного “излучающего” элемента (эмиттера). Получены спектральные и электрофизические характеристики созданного устройства с длиной волны излучения $\lambda=515$ нм. Использование подобного типа квазидвумерных наноструктур (нанопластинок) является перспективным для создания гибридных светодиодов с чистым цветом.

DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14140045

Полный текст: PDF файл (508 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, 100:2, 86–90

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 05.06.2014

Образец цитирования: А. А. Ващенко, А. Г. Витухновский, В. С. Лебедев, А. С. Селюков, Р. Б. Васильев, М. С. Соколикова, “Органический светоизлучающий диод на основе плоского слоя полупроводниковых нанопластинок CdSe в качестве эмиттера”, Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014), 94–98; JETP Letters, 100:2 (2014), 86–90

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VasVitLeb14}
\by А.~А.~Ващенко, А.~Г.~Витухновский, В.~С.~Лебедев, А.~С.~Селюков, Р.~Б.~Васильев, М.~С.~Соколикова
\paper Органический светоизлучающий диод на основе плоского слоя
полупроводниковых нанопластинок CdSe в качестве эмиттера
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 100
\issue 2
\pages 94--98
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3781}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14140045}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=21977624}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 100
\issue 2
\pages 86--90
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014140124}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000342442900004}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=23994888}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84908082126}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl3781
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i2/p94

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Р. Б. Васильев, М. С. Соколикова, А. Г. Витухновский, С. А. Амброзевич, А. С. Селюков, В. С. Лебедев, Квантовая электроника, 45:9 (2015), 853–857  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:9 (2015), 853–857  crossref  isi
    2. Б. И. Шапиро, Е. С. Тышкунова, А. Д. Кондорский, В. С. Лебедев, Квантовая электроника, 45:12 (2015), 1153–1160  mathnet  elib; Quantum Electron., 45:12 (2015), 1153–1160  crossref  isi
    3. Katsaba A.V., Fedyanin V.V., Ambrozevich S.A., Vitukhnovsky A.G., Sokolikova M.S., Vasiliev R.B., “Density of Surface States in Colloidal Cdse Nanoplatelets”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1323–1326  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    4. Kondorskiy A.D. Kislov K.S. Lam N.T. Lebedev V.S., “Absorption of Light By Hybrid Metalorganic Nanostructures of Elongated Shape”, J. Russ. Laser Res., 36:2 (2015), 175–192  crossref  isi  elib  scopus
    5. С. П. Елисеев, А. Г. Витухновский, Д. А. Чубич, Н. С. Курочкин, В. В. Сычев, А. А. Марченко, “Пикосекундное время спонтанного излучения в плазмонных патч-наноантеннах”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016), 88–92  mathnet  crossref  elib; S. P. Eliseev, A. G. Vitukhnovsky, D. A. Chubich, N. S. Kurochkin, V. V. Sychev, A. A. Marchenko, “Picosecond time of spontaneous emission in plasmonic patch nanoantennas”, JETP Letters, 103:2 (2016), 82–86  crossref  isi
    6. A. G. Vitukhnovsky, D. A. Chubich, S. P. Eliseev, V. V. Sychev, D. A. Kolymagin, A. S. Selyukov, “Advantages of Sted-Inspired 3D Direct Laser Writing For Fabrication of Hybrid Nanostructures”, J. Russ. Laser Res., 38:4 (2017), 375–382  crossref  isi  scopus
    7. Kondorskiy A.D. Nguyen Thanh Lam Lebedev V.S., “Absorption and Scattering of Light By Silver and Gold Nanodisks and Nanoprisms”, J. Russ. Laser Res., 39:1 (2018), 56–66  crossref  isi  scopus
    8. Б. И. Шапиро, А. Д. Некрасов, Е. В. Манулик, В. С. Кривобок, В. С. Лебедев, Квантовая электроника, 48:9 (2018), 856–866  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:9 (2018), 856–866  crossref  isi
    9. А. Д. Кондорский, В. С. Лебедев, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 1035–1042  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:11 (2018), 1035–1042  crossref  isi
    10. Gudilin E.A. Semenova A.A. Petrov A.A. Tarasov A.B. Lukashin A.V. Solntsev K.A., “Development of Modern Fundamental Materials Science At the Faculty of Materials Science of the Moscow State University”, Inorg. Mater., 54:13 (2018), 1330–1362  crossref  isi
    11. Mikhailov I A., Kabanov V.F., Glukhovskoy E.G., Shishkin I M., Gavrikov V M., “Methodology of Analyzing the Cdse Semiconductor Quantum Dots Parameters”, Nanosyst.-Phys. Chem. Math., 9:4 (2018), 464–467  crossref  isi
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:235
    Полный текст:16
    Литература:14
    Первая стр.:17

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019