|
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Интерфейсные вклады в параметры спин-орбитального взаимодействия для
электронов на интерфейсе (001) GaAs/AlGaAs
Ж. А. Девизороваab, А. В. Щепетильниковac, Ю. А. Нефедовc, В. А. Волковab, И. В. Кукушкинc
a Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный Московской обл.
b Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва К-9
c Институт физики твердого тела РАН
Аннотация:
Теоретически и экспериментально исследованы одночастичные механизмы
спинового расщепления энергетического спектра 2D-электронов в односторонне
легированной квантовой яме на основе (001) GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As. Показано,
что интерфейсное спин-орбитальное взаимодействие заметно компенсирует
(усиливает) вклад объемных механизмов Дрессельхауза (Бычкова–Рашбы).
Теоретический подход основан на решении уравнения эффективной массы в
квазитреугольной яме, дополненного новым граничным условием на высоком и
атомарно резком гетеробарьере. Модель учитывает спин-орбитальное взаимодействие
электронов как с объемным, так и с гетероинтерфейсным кристаллическим потенциалом
симметрии $C_{2v}$, а также отсутствие центра инверсии и непараболичность зоны
проводимости в GaAs. Выведен эффективный 2D спиновый гамильтониан, содержащий
как объемные, так и интерфейсные вклады в константы Дрессельхауза
($\alpha_{BIA}$) и Рашбы ($\alpha_{SIA}$). Найдена аналитическая связь между этими
константами и компонентами анизотропного и нелинейного тензора $g$-фактора в
наклонном квантующем магнитном поле. Экспериментальный подход основан на
детектировании электронного спинового резонанса в микроволновом диапазоне, с
одной стороны, и фотолюминесцентных измерениях параметра непараболичности, с
другой. Из сравнения с теорией извлечены интерфейсные вклады в $\alpha_{BIA}$,
$\alpha_{SIA}$.
DOI:
https://doi.org/10.7868/S0370274X14140070
 Полный текст:
PDF файл (364 kB)
Список литературы:
PDF файл
HTML файл
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, 100:2, 102–109
Реферативные базы данных:
  
Тип публикации:
Статья
Поступила в редакцию: 04.06.2014
Исправленный вариант: 16.06.2014
Образец цитирования:
Ж. А. Девизорова, А. В. Щепетильников, Ю. А. Нефедов, В. А. Волков, И. В. Кукушкин, “Интерфейсные вклады в параметры спин-орбитального взаимодействия для
электронов на интерфейсе (001) GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 100:2 (2014), 111–117; JETP Letters, 100:2 (2014), 102–109
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DevShcNef14}
\by Ж.~А.~Девизорова, А.~В.~Щепетильников, Ю.~А.~Нефедов, В.~А.~Волков, И.~В.~Кукушкин
\paper Интерфейсные вклады в параметры спин-орбитального взаимодействия для
электронов на интерфейсе (001) GaAs/AlGaAs
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 100
\issue 2
\pages 111--117
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3784}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14140070}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21977627}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 100
\issue 2
\pages 102--109
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014140033}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000342442900007}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=23994921}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84908101533}
Образцы ссылок на эту страницу:
http://mi.mathnet.ru/jetpl3784 http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i2/p111
Citing articles on Google Scholar:
Russian citations,
English citations
Related articles on Google Scholar:
Russian articles,
English articles
Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
-
V. V. Enaldiev, I. V. Zagorodnev, V. A. Volkov, Письма в ЖЭТФ, 101:2 (2015), 94–100
 ; JETP Letters, 101:2 (2015), 89–96 -
Shchepetilnikov A.V. Nefyodov Yu.A. Kukushkin I.V. Tiemann L. Reichl C. Dietsche W. Wegscheider W., Phys. Rev. B, 92:16 (2015), 161301
 -
Furthmeier S. Dirnberger F. Gmitra M. Bayer A. Forsch M. Hubmann J. Schueller Ch. Reiger E. Fabian J. Korn T. Bougeard D., Nat. Commun., 7 (2016), 12413
-
Nestoklon M.O., Tarasenko S.A., Benchamekh R., Voisin P., Phys. Rev. B, 94:11 (2016), 115310
-
Volkov V.A. Enaldiev V.V., J. Exp. Theor. Phys., 122:3 (2016), 608–620
-
Y. Sbai, A. A. Raiss, L. Bahmad, A. Benyoussef, Superlattices Microstruct., 106 (2017), 163–169
-
A. R. Khisameeva, A. V. Shchepetilnikov, V. M. Muravev, S. I. Gubarev, D. D. Frolov, Yu. A. Nefyodov, I. V. Kukushkin, C. Reichl, L. Tiemann, W. Dietsche, W. Wegscheider, Phys. Rev. B, 97:11 (2018), 115308
-
V. V. Enaldiev, V. A. Volkov, Phys. Rev. B, 97:11 (2018), 115305
-
V A. Shchepetilnikov, D. D. Frolov, V. V. Solovyev, Yu. A. Nefyodov, A. Grosser, T. Mikolajick, S. Schmult, V I. Kukushkin, Appl. Phys. Lett., 113:5 (2018), 052102
-
М. М. Махмудиан, А. В. Чаплик, Письма в ЖЭТФ, 107:9 (2018), 590–594 ; M. M. Makhmudian, A. V. Chaplik, JETP Letters, 107:9 (2018), 564–568
-
V A. Shchepetilnikov, D. D. Frolov, Yu. A. Nefyodov, V I. Kukushkin, I. L. Tiemann, C. Reichl, W. Dietsche, W. Wegscheider, Phys. Rev. B, 98:24 (2018), 241302
-
P. Stano, Ch.-H. Hsu, M. Serina, L. C. Camenzind, D. M. Zumbuehl, D. Loss, Phys. Rev. B, 98:19 (2018), 195314
-
R. Ruskov, M. Veldhorst, A. S. Dzurak, Ch. Tahan, Phys. Rev. B, 98:24 (2018), 245424
-
M. M. Mahmoodian, A. V. Chaplik, J. Exp. Theor. Phys., 127:6 (2018), 1130–1135
-
V A. Shchepetilnikov , A. R. Khisameeva, Yu. A. Nefyodov, V I. Kukushkin , L. Tiemann, C. Reichl, W. Dietsche, W. Wegscheider, Physica E, 124 (2020), 114278
|
| Просмотров: |
| Эта страница: | 414 | | Полный текст: | 33 | | Литература: | 22 | | Первая стр.: | 7 |
|
Пользовательское соглашение