RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2014, том 100, выпуск 3, страницы 186–193 (Mi jetpl3794)  

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Positive magnetoresistance peaked at ferromagnetic transition in Mn-doped quantum wells GaAs/AlGaAs

N. V. Agrinskayaa, V. A. Berezotetsab, V. I. Kozuba

a Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg
b International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw

Аннотация: A large positive magnetoresistance peaked at the Curie temperature was observed in quantum well structures GaAs/AlGaAs doped by Mn. We suggest a new mechanism of magnetoresistance within low $T_c$ ferromagnets resulting from a pronounced dependence of spin polarization at the vicinity of $T_c$ on the external magnetic field. As a result, any contribution to resistance dependent on the Zeeman splitting of the spin subbands is amplified with respect to the direct effect of the external field. In our case we believe that the corresponding contribution is related to the upper Hubbard band. We propose that the mechanism considered here can be exploited as the mark of ferromagnetic transition.

DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14150053

Полный текст: PDF файл (420 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, 100:3, 167–173

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 26.06.2014
Язык публикации: английский

Образец цитирования: N. V. Agrinskaya, V. A. Berezotets, V. I. Kozub, “Positive magnetoresistance peaked at ferromagnetic transition in Mn-doped quantum wells GaAs/AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 186–193; JETP Letters, 100:3 (2014), 167–173

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgrBerKoz14}
\by N.~V.~Agrinskaya, V.~A.~Berezotets, V.~I.~Kozub
\paper Positive magnetoresistance peaked at ferromagnetic transition in Mn-doped quantum wells GaAs/AlGaAs
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 100
\issue 3
\pages 186--193
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3794}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14150053}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=21997946}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 100
\issue 3
\pages 167--173
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014150028}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000343708300005}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=24029867}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84920934887}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl3794
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i3/p186

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:89
    Полный текст:23
    Литература:24
    Первая стр.:8
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020