RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2014, том 100, выпуск 12, страницы 900–903 (Mi jetpl4500)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке

В. Я. Алешкинab, Н. В. Дикареваc, А. А. Дубиновab, С. А. Денисовac, З. Ф. Красильникba, К. Е. Кудрявцевba, С. А. Матвеевc, С. М. Некоркинc, В. Г. Шенгуровac

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский физико-технический институт, г. Нижний Новгород

Аннотация: Методом “горячей проволоки” (HW-CVD) созданы совершенные искусственные подложки Ge/Si, на которых методом MOCVD выращены гетероструктуры InGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. Изучены спектры фотолюминесценции этих гетероструктур. Обнаружено стимулированное излучение в ближнем инфракрасном диапазоне при оптической накачке. Определены пороговые мощности возбуждения стимулированного излучения и изменение спектрального состава излучения в зависимости от мощности оптической накачки.

DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X14240084

Полный текст: PDF файл (249 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2014, 100:12, 795–797

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 05.11.2014

Образец цитирования: В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 900–903; JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleDikDub14}
\by В.~Я.~Алешкин, Н.~В.~Дикарева, А.~А.~Дубинов, С.~А.~Денисов, З.~Ф.~Красильник, К.~Е.~Кудрявцев, С.~А.~Матвеев, С.~М.~Некоркин, В.~Г.~Шенгуров
\paper Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры,
выращенной на Si подложке
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2014
\vol 100
\issue 12
\pages 900--903
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4500}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X14240084}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=22996285}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2014
\vol 100
\issue 12
\pages 795--797
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364014240023}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000350023400008}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=24010634}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84923784337}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl4500
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v100/i12/p900

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Fefelov A.G., Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskiy A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V., Appl. Phys. Lett., 109:6 (2016), 061111  crossref  isi  elib  scopus
    2. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasilnik, Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480  crossref  mathscinet  isi  scopus
    3. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasilnik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskiy, Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666  crossref  mathscinet  isi  scopus
    4. N. Baidus, V. Aleshkin, A. Dubinov, K. Kudryavtsev, S. Nekorkin, A. Novikov, D. Pavlov, A. Rykov, A. Sushkov, M. Shaleev, P. Yunin, D. Yurasov, Z. Krasilnik, Crystals, 8:8 (2018), 311  crossref  isi  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:169
    Полный текст:37
    Литература:26
    Первая стр.:11
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020