RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2015, том 101, выпуск 1, страницы 24–28 (Mi jetpl4513)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Conductance through chains of Ge/Si quantum dots: crossover from one-dimensional to quasi-one-dimensional hopping

N. P. Stepinaa, V. V. Valkovskiiba, Yu. M. Гальперинcd, Zh. V. Smaginaa, A. V. Dvurechenskiiab

a Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk
b Novosibirsk State University
c Department of Physics and Center for Advanced Materials & Nanotechnology, University of Oslo
d Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg

Аннотация: Parallel chains of germanium quantum dots were grown on a patterned silicon (100) substrate prepared by the combination of nanoimprint lithography and ion irradiation. Strong anisotropy of the conductance between the direction of the chains and the perpendicular one was observed; the current-voltage curves being essentially superlinear. At low bias voltage dependence of the conductance obeys the Arrhenius law indicating one-dimensional (1D) hopping. With increase of the bias this dependence crosses over to $G\propto \exp [-(T_0/T)^{1/2}]$ explained by a quasi-1D transport involving hopping between nearest neighboring chains.

DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15010051

Полный текст: PDF файл (1872 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2015, 101:1, 22–26

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 10.11.2014
Исправленный вариант: 17.11.2014
Язык публикации: английский

Образец цитирования: N. P. Stepina, V. V. Valkovskii, Yu. M. Гальперин, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, “Conductance through chains of Ge/Si quantum dots: crossover from one-dimensional to quasi-one-dimensional hopping”, Письма в ЖЭТФ, 101:1 (2015), 24–28; JETP Letters, 101:1 (2015), 22–26

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SteValGal15}
\by N.~P.~Stepina, V.~V.~Valkovskii, Yu.~M.~Гальперин, Zh.~V.~Smagina, A.~V.~Dvurechenskii
\paper Conductance through chains of Ge/Si quantum dots: crossover from
one-dimensional to quasi-one-dimensional hopping
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2015
\vol 101
\issue 1
\pages 24--28
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4513}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X15010051}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=23218341}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2015
\vol 101
\issue 1
\pages 22--26
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364015010142}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000351661700005}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=23993655}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84938080201}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl4513
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v101/i1/p24

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Nenashev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii, Письма в ЖЭТФ, 102:2 (2015), 120–124  mathnet  crossref  elib; JETP Letters, 102:2 (2015), 108–112  crossref  isi  elib
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:87
    Полный текст:6
    Литература:10
    Первая стр.:3
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019