RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2015, том 102, выпуск 6, страницы 417–422 (Mi jetpl4736)  

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Фотонно-стимулированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт в микроволновом поле

О. А. Ткаченкоa, В. А. Ткаченкоba, З. Д. Квонab

a Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Численным решением нестационарного уравнения Шредингера показано, что коэффициент прохождения электрона через одномерный плавный барьер в высокочастотном поле может увеличиваться на порядки в туннельном режиме и сильно уменьшаться в открытом режиме. При этом основной вклад вносят переходы с поглощением или испусканием нескольких фотонов. Найденным эффектом можно объяснить недавно обнаруженный сильный рост кондактанса туннельного точечного контакта при облучении структуры микроволнами.

DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15180113

Полный текст: PDF файл (345 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2015, 102:6, 378–382

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 16.06.2015
Исправленный вариант: 28.07.2015

Образец цитирования: О. А. Ткаченко, В. А. Ткаченко, З. Д. Квон, “Фотонно-стимулированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт в микроволновом поле”, Письма в ЖЭТФ, 102:6 (2015), 417–422; JETP Letters, 102:6 (2015), 378–382

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TkaTkaKvo15}
\by О.~А.~Ткаченко, В.~А.~Ткаченко, З.~Д.~Квон
\paper Фотонно-стимулированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт в микроволновом поле
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2015
\vol 102
\issue 6
\pages 417--422
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4736}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X15180113}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=24842763}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2015
\vol 102
\issue 6
\pages 378--382
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364015180150}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000365427800011}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=24971965}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84947548181}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl4736
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v102/i6/p417

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
    Обсуждения
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:44
    Литература:21
    Первая стр.:22

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2017