RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2015, том 102, выпуск 8, страницы 610–614 (Mi jetpl4769)  

Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 17 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$

Д. Р. Исламовab, А. Г. Черниковаc, М. Г. Козодаевc, А. М. Маркеевc, Т. В. Переваловab, В. А. Гриценкоab, О. М. Орловd

a Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
c Московский физико-технический институт, 141700 Долгопрудный, Россия
d Научно-исследовательский институт молекулярной электроники, 124460 Зеленоград, Россия

Аннотация: Исследован механизм транспорта заряда в тонких аморфных и сегнетоэлектрических пленках Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$. Показано, что в изучаемых материалах механизм транспорта не зависит от кристаллической фазы и является фонон-облегченным туннелированием между ловушками. В результате сравнения экспериментальных вольт-амперных характеристик структур TiN/Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$/Pt с рассчитанными определены параметры ловушки: термическая энергия $1.25$ эВ и оптическая энергия $2.5$ эВ. Оценена концентрация ловушек: ${\sim}10^{19}{-}10^{20}$ см$^{-3}$.

DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15200126

Полный текст: PDF файл (254 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2015, 102:8, 544–547

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 11.08.2015
Исправленный вариант: 28.08.2015

Образец цитирования: Д. Р. Исламов, А. Г. Черникова, М. Г. Козодаев, А. М. Маркеев, Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, О. М. Орлов, “Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$”, Письма в ЖЭТФ, 102:8 (2015), 610–614; JETP Letters, 102:8 (2015), 544–547

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IslCheKoz15}
\by Д.~Р.~Исламов, А.~Г.~Черникова, М.~Г.~Козодаев, А.~М.~Маркеев, Т.~В.~Перевалов, В.~А.~Гриценко, О.~М.~Орлов
\paper Механизм транспорта заряда в тонких пленках аморфного и сегнетоэлектрического Hf$_{0.5}$Zr$_{0.5}$O$_2$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2015
\vol 102
\issue 8
\pages 610--614
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4769}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X15200126}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=25021564}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2015
\vol 102
\issue 8
\pages 544--547
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364015200047}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000368406700012}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84953375777}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl4769
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v102/i8/p610

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Fan Zh., Xiao J., Wang J., Zhang L., Deng J., Liu Z., Dong Zh., Wang J., Chen J., Appl. Phys. Lett., 108:23 (2016), 232905  crossref  isi  elib  scopus
    2. Zarubin S., Suvorova E., Spiridonov M., Negrov D., Chernikova A., Markeev A., Zenkevich A., Appl. Phys. Lett., 109:19 (2016), 192903  crossref  isi  elib  scopus
    3. Perevalov T.V., Islamov D.R., Gritsenko V.A., Saraev A.A., Semiconductors, Dielectrics, and Metals For Nanoelectronics 14, Ecs Transactions, 75, no. 5, eds. Kar S., Kita K., Landheer D., Misra D., Electrochemical Soc Inc, 2016, 227–233  crossref  isi  scopus
    4. D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, A. Chin, Optoelectron. Instrum. Data Proc., 53:2 (2017), 184–189  crossref  isi  scopus
    5. M. G. Kozodaev, A. G. Chernikova, E. V. Korostylev, M. H. Park, U. Schroeder, C. S. Hwang, A. M. Markeev, Appl. Phys. Lett., 111:13 (2017), 132903  crossref  isi  scopus
    6. M. S. Lebedev, V. N. Kruchinin, M. I. Lebedeva, E. V. Spesivtsev, Thin Solid Films, 642 (2017), 103–109  crossref  isi  scopus
    7. V. A. Shvets, V. N. Kruchinin, V. A. Gritsenko, Opt. Spectrosc., 123:5 (2017), 728–732  crossref  isi  scopus
    8. D. R. Islamov, O. M. Orlov, V. A. Gritsenko, G. J. Krasnikov, Semiconductors, Dielectrics, and Metals For Nanoelectronics 15: in Memory of Samares Kar, Ecs Transactions, 80, no. 1, eds. D. Misra, S. DeGendt, M. Houssa, K. Kita, D. Landheer, Electrochemical Soc Inc, 2017, 279–281  crossref  isi  scopus
    9. В. А. Гриценко, Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, И. П. Просвирин, Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018), 62–67  mathnet  crossref  elib; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, D. R. Islamov, I. P. Prosvirin, JETP Letters, 107:1 (2018), 55–60  crossref  isi
    10. A. G. Chernikova, M. G. Kozodaev, D. V. Negrov, E. V. Korostylev, M. H. Park, U. Schroeder, Ch. S. Hwang, A. M. Markeev, ACS Appl. Mater. Interfaces, 10:3 (2018), 2701–2708  crossref  isi  scopus
    11. T. V. Perevalov, D. R. Islamov, V. A. Gritsenko, I. P. Prosvirin, Nanotechnology, 29:19 (2018), 194001  crossref  isi  scopus
    12. S. B. Erenburg, S. V. Trubina, K. O. Kvashnina, V. N. Kruchinin, V. V. Gritsenko, A. G. Chernikova, A. M. Markeev, J. Exp. Theor. Phys., 126:6 (2018), 816–824  crossref  isi  scopus
    13. Т. В. Перевалов, В. А. Гриценко, А. К. Гутаковский, И. П. Просвирин, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 112–117  mathnet  crossref  elib; T. V. Perevalov, V. A. Gritsenko, A. K. Gutakovskii, I. P. Prosvirin, JETP Letters, 109:2 (2019), 116–120  crossref  isi
    14. Perevalov V T., Gutakovskii A.K., Kruchinin V.N., Gritsenko V.A., Prosvirin I.P., Mater. Res. Express, 6:3 (2019), 036403  crossref  isi  scopus
    15. Kim S.J., Mohan J., Summerfelt S.R., Kim J., JOM, 71:1 (2019), 246–255  crossref  isi  scopus
    16. Tang L., Chen Ch., Wei A., Li K., Zhang D., Zhou K., Ceram. Int., 45:3 (2019), 3140–3147  crossref  isi  scopus
    17. Islamov D.R., Gritsenko V.A., Perevalov T.V., Pustovarov V.A., Orlov O.M., Chernikova A.G., Markeev A.M., Slesazeck S., Schroeder U., Mikolajick T., Krasnikov G.Ya., Acta Mater., 166 (2019), 47–55  crossref  isi  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:140
    Полный текст:16
    Литература:19
    Первая стр.:11
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019