RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2015, том 102, выпуск 11, страницы 864–869 (Mi jetpl4808)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Spin Hall conductivity in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures

V. N. Men'shovab, V. V. Tugushevcba, E. V. Chulkovdebfg

a National Research Centre “Kurchatov Institute”, 123182 Moscow, Russia
b Tomsk State University, 634050 Tomsk, Russia
c Prokhorov General Physics Institute of the RAS, 119991 Moscow, Russia
d Centro de Física de Materiales CFM-MPC, 20080 San Sebastián, Basque Country, Spain
e St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Russia
f Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, 20080 San Sebastián, Basque Country, Spain
g Departamento de Física de Materiales, Facultad de Químicas, UPV/EHU, 20080 San Sebastián, Basque Country, Spain

Аннотация: In the framework of an effective functional approach based on the $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$ method, we study the combined effect of an interface potential and a thickness of a three-dimensional (3D) topological insulator (TI) thin film on the spin Hall conductivity in layered heterostructures comprising TI and normal insulator (NI) materials. We derive an effective two-dimensional (2D) Hamiltonian of a 3D TI thin film sandwiched between two NI slabs and define the applicability limits of approximations used. The energy gap and mass dispersion in the 2D Hamiltonian, originated from the hybridization between TI/NI interfacial bound electron states at the opposite boundaries of a TI film, are demonstrated to change sign with the TI film thickness and the interface potential strength. Finally, we argue that the spin Hall conductivity can efficiently be tuned varying the interface potential characteristics and TI film thickness.

Финансовая поддержка Номер гранта
Санкт-Петербургский государственный университет 11.50.202.2015
We acknowledge partial support from Saint Petersburg State University (project #11.50.202.2015).


DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X15230113

Полный текст: PDF файл (158 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2015, 102:11, 754–759

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 14.10.2015
Исправленный вариант: 27.10.2015
Язык публикации: английский

Образец цитирования: V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Spin Hall conductivity in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures”, Письма в ЖЭТФ, 102:11 (2015), 864–869; JETP Letters, 102:11 (2015), 754–759

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MenTugЧул15}
\by V.~N.~Men'shov, V.~V.~Tugushev, E.~V.~Chulkov
\paper Spin Hall conductivity in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2015
\vol 102
\issue 11
\pages 864--869
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl4808}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X15230113}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=25373107}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2015
\vol 102
\issue 11
\pages 754--759
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364015230113}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000371276500011}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84969211437}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl4808
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v102/i11/p864

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. В. Н. Меньшов, В. В. Тугушев, Е. В. Чулков, “Квантовый аномальный эффект Холла в гетероструктурах магнитно-модулированный топологический изолятор/нормальный изолятор”, Письма в ЖЭТФ, 104:7 (2016), 480–487  mathnet  crossref  elib; V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Quantum anomalous Hall effect in magnetically modulated topological insulator/normal insulator heterostructures”, JETP Letters, 104:7 (2016), 453–459  crossref  isi
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:91
    Литература:10
    Первая стр.:3

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2017