RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2016, том 104, выпуск 5, страницы 342–348 (Mi jetpl5058)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен–нитрид бора–графен гетероструктурах с двумя затворами

Ю. Н. Ханинa, Е. Е. Вдовинa, А. Мищенкоb, Ж. С. Туb, А. Козиковb, К. С. Новоселовb, Р. В. Горбачевb

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b School of Physics and Astronomy, University of Manchester, Manchester, M13 9PL, UK

Аннотация: Исследовано резонансное магнитотуннелирование в гетероструктурах с однослойными листами графена, разделенными барьером из гексагонального нитрида бора, и двумя затворами, что позволило изучить переходы между индивидуальными уровнями Ландау, принадлежащими разным графеновым слоям, ограниченными узким окном проводимости, ширина которого регулируется смещающим напряжением. Построены и идентифицированы трехмерные карты равновесной туннельной проводимости в зависимости от напряжений на обоих затворах, отражающие движение резонансов между различными комбинациями индивидуальных уровней Ландау в верхнем и нижнем слоях. Обнаруженная ступенчатая структура карт тока с плато и резкими перескоками между ними обусловлена пиннингом химических потенциалов на уровнях Ландау в двух графеновых слоях. Наличие на вольтамперных характеристиках (ВАХ) в магнитном поле областей отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пикового тока к долинному $I_p/I_v\sim2$ свидетельствует о высокой степени сохранения параллельной интерфейсам компоненты импульса при туннелировании.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-02-01221_а
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ 15-02-01221-а и программ фундаментальных исследований Президиума РАН “Актуальные проблемы физики низких температур” и “Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий”.


DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16170100

Полный текст: PDF файл (646 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, 104:5, 334–340

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 28.07.2016

Образец цитирования: Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, А. Мищенко, Ж. С. Ту, А. Козиков, К. С. Новоселов, Р. В. Горбачев, “Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен–нитрид бора–графен гетероструктурах с двумя затворами”, Письма в ЖЭТФ, 104:5 (2016), 342–348; JETP Letters, 104:5 (2016), 334–340

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaVdoMis16}
\by Ю.~Н.~Ханин, Е.~Е.~Вдовин, А.~Мищенко, Ж.~С.~Ту, А.~Козиков, К.~С.~Новоселов, Р.~В.~Горбачев
\paper Селективная спектроскопия туннельных переходов между уровнями Ландау в вертикальных графен--нитрид бора--графен гетероструктурах с двумя затворами
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 5
\pages 342--348
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5058}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16170100}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=26184382}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 5
\pages 334--340
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016170094}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000388292500010}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84994804688}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl5058
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i5/p342

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. T. Y. Kim, E. H. Song, B. H. Kang, S. J. Kim, Yu.-H. Lee, B.-K. Ju, “Hydrolyzed hexagonal boron nitride/polymer nanocomposites for transparent gas barrier film”, Nanotechnology, 28:12 (2017), 12LT01  crossref  isi  elib  scopus
    2. Ю. Н. Ханин, Е. Е. Вдовин, И. А. Ларкин, О. Макаровский, Ю. А. Склюева, А. Мищенко, Ю. Б. Ванг, А. Козиков, Р. В. Горбачев, К. С. Новоселов, “Наблюдение спинового и долинного расщепления уровней Ландау при магнитотуннелировании в графен/нитрид бора/графен структурах”, Письма в ЖЭТФ, 107:4 (2018), 242–247  mathnet  crossref  elib; Yu. N. Khanin, E. E. Vdovin, I. A. Larkin, O. Makarovsky, Yu. A. Sklyuеva, A. Mishchenko, Yi Bo Wang, A. Kozikov, R. V. Gorbachev, K. S. Novoselov, “Observation of spin and valley splitting of Landau levels under magnetic tunneling in graphene/boron nitride/graphene structures”, JETP Letters, 107:4 (2018), 238–242  crossref  isi
    3. Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, “Резонансно-туннельные явления в многослойных вандерваальсовских двумерных кристаллических системах”, Письма в ЖЭТФ, 108:9 (2018), 674–686  mathnet  crossref  elib; E. E. Vdovin, Yu. N. Khanin, “Resonance tunneling phenomena in two-dimensional multilayer van der Waals crystalline systems”, JETP Letters, 108:9 (2018), 641–652  crossref  isi
  • Просмотров:
    Эта страница:69
    Литература:15
    Первая стр.:10

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019