Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2016, том 104, выпуск 9, страницы 651–657 (Mi jetpl5106)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$

Л. Н. Овешниковab, В. А. Прудкоглядa, Е. И. Нехаеваab, А. Ю. Кунцевичac, Ю. Г. Селивановa, Е. Г. Чижевскийa, Б. А. Аронзонab

a Физический институт им. Лебедева РАН, 119991 Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский Институт", 123182 Москва, Россия
c Национальный исследовательский университет Высшая Школа Экономики, 101000 Москва, Россия

Аннотация: В работе исследовалась магнетопроводимость тонких пленок Bi$_{2}$Se$_{3}$ с защитным слоем Se, выращенных на подложках (111) BaF$_{2}$. Наблюдаемая отрицательная магнетопроводимость в малых полях, обусловленная эффектом слабой антилокализации, так же как и осцилляции Шубникова–де Гааза в больших полях, определяется только перпендикулярной к плоскости пленки компонентой магнитного поля. Полученные экспериментальные результаты могут быть разумно объяснены в предположении наличия в исследуемых пленках двумерных топологически защищенных электронных состояний. При этом вклад этих состояний в полную проводимость системы оказывается определяющим.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 14-02-00586_а
16-29-03330_офи_м
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.613.21.0019 (RFMEFI61314X0019)
Российский научный фонд 14-12-00879
Измерения при низких температурах в магнитных полях до 19 Тл были проведены в ЦКП ФИАН при частичной поддержке гранта РФФИ # 14-02-00586. Л.Н.О., В.А.П., Е.И.Н. и Б.А.А. благодарны Минобрнауки за частичную поддержку проведенных работ в рамках госконтракта # 14.613.21.0019 (RFMEFI61314X0019). Ю.Г.С. и Е.Г.Ч. благодарны гранту РНФ # 14-12-00879 за финансовую поддержку. А.Ю.К. благодарен гранту РФФИ # 16-29-03330.


DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X16210086

Полный текст: PDF файл (759 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2016, 104:9, 629–634

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 31.08.2016
Исправленный вариант: 22.09.2016

Образец цитирования: Л. Н. Овешников, В. А. Прудкогляд, Е. И. Нехаева, А. Ю. Кунцевич, Ю. Г. Селиванов, Е. Г. Чижевский, Б. А. Аронзон, “Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$”, Письма в ЖЭТФ, 104:9 (2016), 651–657; JETP Letters, 104:9 (2016), 629–634

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OvePruNek16}
\by Л.~Н.~Овешников, В.~А.~Прудкогляд, Е.~И.~Нехаева, А.~Ю.~Кунцевич, Ю.~Г.~Селиванов, Е.~Г.~Чижевский, Б.~А.~Аронзон
\paper Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2016
\vol 104
\issue 9
\pages 651--657
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5106}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X16210086}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27330818}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2016
\vol 104
\issue 9
\pages 629--634
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364016210128}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000392969500006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85010028347}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl5106
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v104/i9/p651

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Л. Н. Овешников, В. А. Прудкогляд, Ю. Г. Селиванов, Е. Г. Чижевский, Б. А. Аронзон, Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017), 506–514  mathnet  crossref  elib; L. N. Oveshnikov, V. A. Prudkoglyad, Yu. G. Selivanov, E. G. Chizhevskii, B. A. Aronzon, JETP Letters, 106:8 (2017), 526–533  crossref  isi
    2. B. A. Aronzon, L. N. Oveshnikov, V. A. Prudkoglyad, Yu. G. Selivanov, E. G. Chizhevskii, K. I. Kugel, I. A. Karateev, A. L. Vasiliev, E. Lahderanta, J. Magn. Magn. Mater., 459:SI (2018), 331–334  crossref  mathscinet  isi
    3. L. N. Oveshnikov, I Ya. Rodionov, I K. Kugel, I. A. Karateev, A. L. Vasiliev, Yu. G. Selivanov, E. G. Chizhevskii, I. S. Burmistrov, B. A. Aronzon, J. Phys.-Condes. Matter, 30:44 (2018), 445801  crossref  isi  scopus
    4. S. O. Volosheniuk, Yu. G. Selivanov, M. A. Bryzgalov, V. P. Martovitskii, A. Yu. Kuntsevich, J. Appl. Phys., 125:9 (2019), 095103  crossref  isi  scopus
    5. L. N. Oveshnikov, A. B. Davydov, V A. Suslov , I A. Ril , B. F. Marenkin, A. L. Vasiliev, B. A. Aronzon, Sci Rep, 10:1 (2020), 4601  crossref  isi
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:100
    Полный текст:17
    Литература:11
    Первая стр.:11
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022