RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2017, том 105, выпуск 9, страницы 554–558 (Mi jetpl5259)  

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках

А. Н. Афанасьев, А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В рамках $14$-зонной $\mathbf{k}\cdot\mathbf{ p}$ модели исследована интенсивность процессов ударной ионизации в прямозонных полупроводниках и получены аналитические выражения для темпа ударной ионизации. Показано, что вблизи энергетического порога скорость процесса определяется суммой изотропного вклада, кубического по отстройке от порога, и сильно анизотропного квадратичного, возникающего лишь в меру взаимодействия с далекими зонами. Сопоставление этих вкладов в условиях усреднения по невырожденному изотропному распределению неравновесных электронов с некоторой эффективной температурой $T^*$ показывает, что именно кубический, а не традиционно используемый квадратичный вклад доминирует для прямозонных полупроводников с $E_g<1-1.5 $эВ вплоть до $T^* = 300 \textrm{K}$, и это должно учитываться при расчетах приборных характеристик устройств, использующих эффект лавинного умножения носителей.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-72-20245
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, грант # 17-72-20245.


DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17090077

Полный текст: PDF файл (330 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, 105:9, 586–590

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 20.02.2017

Образец цитирования: А. Н. Афанасьев, А. А. Грешнов, Г. Г. Зегря, “О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 105:9 (2017), 554–558; JETP Letters, 105:9 (2017), 586–590

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AfaGreZeg17}
\by А.~Н.~Афанасьев, А.~А.~Грешнов, Г.~Г.~Зегря
\paper О скорости ударной ионизации в прямозонных полупроводниках
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 105
\issue 9
\pages 554--558
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5259}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17090077}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=29276528}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 105
\issue 9
\pages 586--590
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017090065}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000405697500007}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85024129556}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl5259
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i9/p554

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:48
    Литература:10
    Первая стр.:5

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2018