RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2017, том 106, выпуск 9, страницы 555–560 (Mi jetpl5408)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge

Р. Х. Жукавинa, К. А. Ковалевскийa, С. М. Сергеевa, Ю. Ю. Чопороваbc, В. В. Герасимовcb, В. В. Цыпленковa, Б. А. Князевbc, Н. В. Абросимовd, С. Г. Павловe, В. Н. Шастинa, Г. Шнайдерf, Н. Дессманнgh, О. А. Шевченкоb, Н. А. Винокуровb, Г. Н. Кулипановb, Г.-В. Хьюберсge

a Институт физики микроструктур РАН, 603950 Нижний Новгород, Россия
b Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера СО РАН, 6 30090 Новосибирск, Россия
c Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
d Leibniz Institute of Crystal Growth, 12489 Berlin, Germany
e DLR Institute of Optical Sensor Systems, 12489 Berlin, Germany
f Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf, 01314 Dresden, Germany
g Humboldt-Universität zu Berlin, 12489 Berlin, Germany
h NEST, Istituto Nanoscienze-CNR, 56127 Pisa, Italy

Аннотация: В условиях криогенных температур измерено время релаксации локализованных состояний доноров сурьмы в недеформированном и одноосно сжатом вдоль кристаллографического направления [111] германии. Измерения проводились по одноцветной схеме метода “накачка-зондирование” с использованием излучения новосибирского лазера на свободных электронах (NovoFEL). Для недеформированного кристалла время релаксации зависело от температуры и энергии кванта возбуждения. Измерения в деформированном кристалле выполнялись при давлении $S>300 $бар, при котором волновая функция основного состояния образована только одной долиной зоны проводимости германия. Показано, что приложение одноосной деформации приводит к увеличению времени релаксации, что связывается с понижением числа каналов релаксации.

Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации RFMEFI61614X0008
Bundesministerium für Bildung und Forschung 05K2014
Работа проведена в рамках Российско-Германского проекта (InTerFEL project, BMBF # 05K2014) по соглашению с Минобрнауки (шифр RFMEFl61614X0008).


DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17210044

Полный текст: PDF файл (1451 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, 106:9, 571–575

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 03.10.2017

Образец цитирования: Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, С. М. Сергеев, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Герасимов, В. В. Цыпленков, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, В. Н. Шастин, Г. Шнайдер, Н. Дессманн, О. А. Шевченко, Н. А. Винокуров, Г. Н. Кулипанов, Г.-В. Хьюберс, “Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge”, Письма в ЖЭТФ, 106:9 (2017), 555–560; JETP Letters, 106:9 (2017), 571–575

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuKovSer17}
\by Р.~Х.~Жукавин, К.~А.~Ковалевский, С.~М.~Сергеев, Ю.~Ю.~Чопорова, В.~В.~Герасимов, В.~В.~Цыпленков, Б.~А.~Князев, Н.~В.~Абросимов, С.~Г.~Павлов, В.~Н.~Шастин, Г.~Шнайдер, Н.~Дессманн, О.~А.~Шевченко, Н.~А.~Винокуров, Г.~Н.~Кулипанов, Г.-В.~Хьюберс
\paper Времена низкотемпературной внутрицентровой релаксации мелких доноров в Ge
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 106
\issue 9
\pages 555--560
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5408}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17210044}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=30516196}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 106
\issue 9
\pages 571--575
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017210147}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000423267600004}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85041006671}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl5408
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i9/p555

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. V. V. Tsyplenkov, V. N. Shastin, Semiconductors, 52:12 (2018), 1573–1580  crossref  isi  scopus
    2. Р. Х. Жукавин, К. А. Ковалевский, Ю. Ю. Чопорова, В. В. Цыпленков, В. В. Герасимов, П. А. Бушуйкин, Б. А. Князев, Н. В. Абросимов, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, В. Н. Шастин, Письма в ЖЭТФ, 110:10 (2019), 677–682  mathnet  crossref
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:100
    Литература:16
    Первая стр.:8
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020