RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2018, том 107, выпуск 1, страницы 35–41 (Mi jetpl5463)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Скейлинг магнитосопротивления и анизотропия рассеяния носителей заряда в парамагнитной фазе каркасного стекла Ho$_{0.8}$Lu$_{0.2}$B$_{12}$

Н. Е. Случанкоab, А. Л. Хорошиловab, А. В. Богачa, В. В. Вороновa, В. В. Глушковab, С. В. Демишевab, В. Н. Краснорусскийa, К. М. Красиковb, Н. Ю. Шицеваловаc, В. Б. Филиповc

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, 119991 Москва, Россия
b Московский физико-технический институт (Госуниверситет), 141700 Долгопрудный, Россия
c Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАНУ, 03680 Киев, Украина

Аннотация: При низких температурах $2$$10$ К исследовано поперечное магнитосопротивление додекаборида Ho$_{0.8}$Lu$_{0.2}$B$_{12}$ со структурой каркасного стекла. Показано, что в парамагнитной фазе в широкой окрестности $T_{N}\approx5.7 $K в этом антиферромагнетике доминирующим вкладом является изотропное отрицательное магнитосопротивление, связанное с рассеянием носителей на наноразмерных кластерах ионов Но$^{3+}$, которое масштабируется в координатах $\rho=f(\mu_{eff}^2H^2/T^2)$. Обнаружено, что анизотропия магнитосопротивления выше $T_{N}$ (около $15 %$ в поле $80$ кЭ) обусловлена положительным вкладом, который достигает максимальных значений для направлений вблизи $\mathbf{H}\| [001]$. Предложено объяснение анизотропии рассеяния носителей заряда в терминах динамического кооперативного эффекта Яна–Теллера на кластерах В$_{12}$.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01426
Работа выполнена в рамках проекта РНФ # 17-12-01426.


DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X18010071

Полный текст: PDF файл (2597 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, 107:1, 30–36

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 09.11.2017

Образец цитирования: Н. Е. Случанко, А. Л. Хорошилов, А. В. Богач, В. В. Воронов, В. В. Глушков, С. В. Демишев, В. Н. Краснорусский, К. М. Красиков, Н. Ю. Шицевалова, В. Б. Филипов, “Скейлинг магнитосопротивления и анизотропия рассеяния носителей заряда в парамагнитной фазе каркасного стекла Ho$_{0.8}$Lu$_{0.2}$B$_{12}$”, Письма в ЖЭТФ, 107:1 (2018), 35–41; JETP Letters, 107:1 (2018), 30–36

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SluKhoBog18}
\by Н.~Е.~Случанко, А.~Л.~Хорошилов, А.~В.~Богач, В.~В.~Воронов, В.~В.~Глушков, С.~В.~Демишев, В.~Н.~Краснорусский, К.~М.~Красиков, Н.~Ю.~Шицевалова, В.~Б.~Филипов
\paper Скейлинг магнитосопротивления и анизотропия рассеяния носителей заряда в парамагнитной фазе каркасного стекла Ho$_{0.8}$Lu$_{0.2}$B$_{12}$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 107
\issue 1
\pages 35--41
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5463}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X18010071}
\elib{http://elibrary.ru/item.asp?id=32619778}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 107
\issue 1
\pages 30--36
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018010125}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000427409000007}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85044000036}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl5463
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i1/p35

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Н. Е. Случанко, А. Л. Хорошилов, А. В. Богач, С. Ю. Гаврилкин, В. В. Глушков, С. В. Демишев, В. Н. Краснорусский, Н. Ю. Шицевалова, В. Б. Филиппов, С. Габани, К. Флахбарт, Б. З. Малкин, “Магнитная анизотропия низкотемпературной теплоемкости в соединении с динамическими зарядовыми страйпами Ho$_{0.01}$Lu$_{0.99}$B$_{12}$”, Письма в ЖЭТФ, 108:7 (2018), 487–492  mathnet  crossref  elib; N. E. Sluchanko, A. L. Khoroshilov, A. V. Bogach, S. Yu. Gavrilkin, V. V. Glushkov, S. V. Demishev, V. N. Krasnorussky, N. Yu. Shitsevalova, V. B. Philipov, S. Gabani, K. Flachbart, B. Z. Malkin, “Magnetic anisotropy of the low-temperature specific heat of Ho$_{0.01}$Lu$_{0.99}$B$_{12}$ with dynamic charge stripes”, JETP Letters, 108:7 (2018), 454–459  crossref  isi
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:57
    Литература:6
    Первая стр.:5

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019