RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2018, том 107, выпуск 10, страницы 679–683 (Mi jetpl5581)  

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Перестройка структуры кристаллов парателлурита в приповерхностном слое, вызванная миграцией носителей зарядов во внешнем электрическом поле

А. Г. Куликовab, Н. В. Марченковba, А. Е. Благовba, В. А. Ломоновa, А. В. Виноградовa, Ю. В. Писаревскийab, М. В. Ковальчукba

a Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова, Федеральный научно-исследовательский центр “Кристаллография и фотоника” РАН, 119333 Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”, 123098 Москва, Россия

Аннотация: С помощью in situ рентгенодифракционных измерений исследован процесс образования приповерхностных структур в кристалле парателлурита ($\alpha$-ТеО$_2$) при приложении к нему внешнего электрического поля. Данный процесс имеет обратимый характер и по динамике протекания (длительность процесса составляет десятки минут) соответствует образованию экранирующего слоя у границы раздела диэлектрик–металл за счет встречной миграции ионов кислорода и кислородных вакансий во внешнем электрическом поле. Образование доменов наблюдается в эксперименте в виде уширения и расщепления рентгеновской кривой дифракционного отражения и объясняется механическими напряжениями, возникающими в сильном электрическом поле вблизи поверхности в результате пьезоэффекта и вызывающими ферроэластический $\alpha$-$\beta$ фазовый переход. Одновременно зарегистрировано изменение параметра решетки у анода (поверхность кристалла с положительным внешним зарядом), вызванное локальной перестройкой кристаллической структуры за счет скопления в этой области ионов кислорода и оттока кислородных вакансий.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 007-ГЗ/Ч3363/26
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-60045_мол_а_дк
16-29-14057_офи_м
Работа выполнена при поддержке Федерального агентства научных организаций (соглашение # 007-ГЗ/Ч3363/26) в части “выращивания и подготовки кристаллов” и Российского фонда фундаментальных исследований (гранты # 16-32-60045 мол_а_дк, # 16-29-14057 офи_м) в части “исследования структурной перестройки парателлурита в условиях электрических полей”.


DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X18100119

Полный текст: PDF файл (757 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 05.03.2018
Исправленный вариант: 09.04.2018

Образец цитирования: А. Г. Куликов, Н. В. Марченков, А. Е. Благов, В. А. Ломонов, А. В. Виноградов, Ю. В. Писаревский, М. В. Ковальчук, “Перестройка структуры кристаллов парателлурита в приповерхностном слое, вызванная миграцией носителей зарядов во внешнем электрическом поле”, Письма в ЖЭТФ, 107:10 (2018), 679–683

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KulMarBla18}
\by А.~Г.~Куликов, Н.~В.~Марченков, А.~Е.~Благов, В.~А.~Ломонов, А.~В.~Виноградов, Ю.~В.~Писаревский, М.~В.~Ковальчук
\paper Перестройка структуры кристаллов парателлурита в приповерхностном слое, вызванная миграцией носителей зарядов во внешнем электрическом поле
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 107
\issue 10
\pages 679--683
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5581}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X18100119}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl5581
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v107/i10/p679

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:7
    Литература:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2018