RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2018, том 108, выпуск 2, страницы 114–118 (Mi jetpl5629)  

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Электронная структура аморфного SiO$_{x}$ переменного состава

А. А. Карпушинa, В. А. Гриценкоabc

a Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный технический университет, 630073 Новосибирск, Россия
c Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: В приближении сильной связи, без использования подгоночных параметров рассчитаны величины барьеров для инжекции электронов и дырок из кремния в SiO$_{x}$. Найдена зависимость электронной структуры обогащенного кремнием аморфного оксида кремния SiO$_{x}$ от степени обогащения. В расчетах использован способ параметризации матричных элементов Гамильтониана сильной связи, предложенный ранее авторами, учитывающий изменение области локализации валентных электронов изолированного атома при его встраивании в твердое тело. Показано, что учет этого изменения позволяет рассчитывать электронную структуру без подгоночных параметров, используя в качестве исходных данных параметры изолированных атомов. Последнее обстоятельство дает возможность вести расчет в абсолютной шкале энергий с нулем, соответствующим энергии электрона в вакууме.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-01827
Российский научный фонд 18-49-08001
Ministry of Science and Technology, Taiwan 107-2923-Е-009-001-MY3
Настоящая работа поддержана грантом РФФИ # 17-02-01827, грантом РНФ # 18-49-08001, грантом MOST # 107-2923-Е-009-001-MY3, Тайвань.


DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X18140096

Полный текст: PDF файл (215 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2018, 108:2, 127–131

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 20.03.2018
Исправленный вариант: 20.06.2018

Образец цитирования: А. А. Карпушин, В. А. Гриценко, “Электронная структура аморфного SiO$_{x}$ переменного состава”, Письма в ЖЭТФ, 108:2 (2018), 114–118; JETP Letters, 108:2 (2018), 127–131

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KarGri18}
\by А.~А.~Карпушин, В.~А.~Гриценко
\paper Электронная структура аморфного SiO$_{x}$ переменного состава
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2018
\vol 108
\issue 2
\pages 114--118
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5629}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X18140096}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2018
\vol 108
\issue 2
\pages 127--131
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364018140084}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000445757300009}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85053895078}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl5629
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v108/i2/p114

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:13
    Литература:2
    Первая стр.:1

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2018