RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2019, том 110, выпуск 8, страницы 551–556 (Mi jetpl6027)  

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Электрокристаллизация переохлажденной воды, заключенной между графеновыми слоями

Р. М. Хуснутдиновab, А. В. Мокшинba

a Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения РАН, 426068 Ижевск, Россия
b Институт физики Казанского (Приволжского) федерального университета, 420008 Казань, Россия

Аннотация: Ключевой особенностью кристаллизации переохлажденной воды в конфайнменте под воздействием внешнего стационарного электрического поля является то, что структурное упорядочение здесь определяется не только обычными термодинамическими и кинетическими факторами — уровнем переохлаждения, разностью химических потенциалов для жидкости и кристалла, вязкостью, – но также величиной и направлением приложенного электрического поля, размером системы (размерные эффекты), геометрией ограничивающих поверхностей. В настоящей работе рассматривается электрокристаллизация переохлажденной воды при температуре $T=268$ K, заключенной между параллельными, идеально ровными слоями графена. Установлено, что структурное упорядочение определяется двумя характерными режимами. Начальный режим соотносится с ориентацией дипольных молекул воды под действием внешнего электрического поля. Последующий режим характеризуется релаксацией метастабильной системы в кристаллическую фазу. Однородное электрическое поле, приложенное перпендикулярно графеновым слоям, препятствует структурному упорядочению, тогда как поле, приложенное в боковом направлении, способствует формированию фазы кубического льда Ic.

Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-12-00022
Работа поддержана Российским научным фондом (проект # 19-12-00022).


DOI: https://doi.org/10.1134/S0370274X19200074

Полный текст: PDF файл (903 kB)
Первая страница: PDF файл
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2019, 110:8, 557–561

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
Поступила в редакцию: 31.07.2019
Исправленный вариант: 06.09.2019
Принята в печать:06.09.2019

Образец цитирования: Р. М. Хуснутдинов, А. В. Мокшин, “Электрокристаллизация переохлажденной воды, заключенной между графеновыми слоями”, Письма в ЖЭТФ, 110:8 (2019), 551–556; JETP Letters, 110:8 (2019), 557–561

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhuMok19}
\by Р.~М.~Хуснутдинов, А.~В.~Мокшин
\paper Электрокристаллизация переохлажденной воды, заключенной между графеновыми слоями
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2019
\vol 110
\issue 8
\pages 551--556
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl6027}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0370274X19200074}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2019
\vol 110
\issue 8
\pages 557--561
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364019200050}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000504612300007}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85077082607}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl6027
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v110/i8/p551

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:32
    Литература:5
    Первая стр.:3
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020