RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2010, том 91, выпуск 8, страницы 419–423 (Mi jetpl695)  

Эта публикация цитируется в 69 научных статьях (всего в 69 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах $A^V_2 B^{VI_3}$

С. В. Еремеевab, Ю. М. Коротеевb, Е. В. Чулковc

a Томский государственный университет
b Институт физики прочности и материаловедения СО РАН
c Donostia International Physics Center (DIPC), and CFM, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, Departamento de Física de Materiales, UPV/EHU, Apdo. 1072, 20080 San Sebastiían, Spain

Аннотация: Представлены результаты теоретического исследования электронной структуры поверхности соединений $ A^V_2 \rm B^{VI}_3$, содержащих поверхностные топологически защищенные состояния. Рассмотрены идеальные поверхности Bi$_2$Te$_3$, Bi$_2$Se$_3$ и Sb$_2$Te$_3$ и поверхности с отсутствующим внешним слоем атомов халькогена, наблюдающиеся экспериментально в виде монослойных террас. Показано, что имеющееся расхождение между теоретическим положением уровня Ферми и наблюдаемым в фотоэмиссионных экспериментах может быть объяснено наличием состояний типа “оборванной связи” на поверхности террас, образованных атомами полуметалла. Оценена доля таких террас на поверхности.

Полный текст: PDF файл (1261 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, 91:8, 387–391

Реферативные базы данных:

Поступила в редакцию: 24.02.2010

Образец цитирования: С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков, “Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах $A^V_2 B^{VI_3}$”, Письма в ЖЭТФ, 91:8 (2010), 419–423; JETP Letters, 91:8 (2010), 387–391

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EreKorЧул10}
\by С.~В.~Еремеев, Ю.~М.~Коротеев, Е.~В.~Чулков
\paper Влияние атомного состава поверхности на электронные поверхностные состояния в топологических изоляторах~${\rm A^V_2\rm B^{VI}_3}$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 91
\issue 8
\pages 419--423
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl695}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 91
\issue 8
\pages 387--391
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010080059}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000279084600005}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77953965523}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl695
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i8/p419

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Kuroda K., Ye M., Kimura A., Eremeev S.V., Krasovskii E.E., Chulkov E.V., Ueda Y., Miyamoto K., Okuda T., Shimada K., Namatame H., Taniguchi M., “Experimental Realization of a Three-Dimensional Topological Insulator Phase in Ternary Chalcogenide TlBiSe2”, Physical Review Letters, 105:14 (2010), 146801  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    2. С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков, “О возможности существования глубоких подповерхностных состояний в топологических изоляторах: система PbBi$_4$Te$_7$”, Письма в ЖЭТФ, 92:3 (2010), 183–188  mathnet; S. V. Eremeev, Yu. M. Koroteev, E. V. Chulkov, “On possible deep subsurface states in topological insulators: The PbBi$_4$Te$_7$ system”, JETP Letters, 92:3 (2010), 161–165  crossref  isi
    3. Yazyev O.V., Moore J.E., Louie S.G., “Spin Polarization and Transport of Surface States in the Topological Insulators Bi2Se3 and Bi2Te3 from First Principles”, Physical Review Letters, 105:26 (2010), 266806  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    4. С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков, “Тройные халькогениды полуметаллов на основе таллия (Tl-V-VI$_2$) – новый класс трехмерных топологических изоляторов”, Письма в ЖЭТФ, 91:11 (2010), 664–668  mathnet; JETP Letters, 91:11 (2010), 594–598  crossref  isi
    5. Diez Muino R., Sanchez-Portal D., Silkin V.M., Chulkov E.V., Echenique P.M., “Time-dependent electron phenomena at surfaces”, Proc Nat Acad Sci U S A, 108:3 (2011), 971–976  crossref  zmath  isi  scopus
    6. Т. В. Меньщикова, С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, В. М. Кузнецов, Е. В. Чулков, “Тройные соединения на основе бинарных топологических изоляторов как эффективный способ модификации конуса Дирака”, Письма в ЖЭТФ, 93:1 (2011), 18–23  mathnet; JETP Letters, 93:1 (2011), 15–20  crossref  isi
    7. Eremeev S.V., Bihlmayer G., Vergniory M., Koroteev Yu.M., Menshchikova T.V., Henk J., Ernst A., Chulkov E.V., “Ab initio electronic structure of thallium-based topological insulators”, Physical Review B, 83:20 (2011), 205129  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    8. Т. В. Меньщикова, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков, “О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов”, Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011), 110–115  mathnet; T. V. Menshchikova, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, “On the origin of two-dimensional electron gas states at the surface of topological insulators”, JETP Letters, 94:2 (2011), 106–111  crossref  isi
    9. И. В. Силкин, Ю. М. Коротеев, С. В. Еремеев, Г. Бильмайер, Е. В. Чулков, “Трехмерные и двумерные топологические изоляторы в слоистых соединениях Pb$_2$Sb$_2$Te$_5$, Pb$_2$Bi$_2$Te$_5$ и Pb$_2$Bi$_2$Se$_5$”, Письма в ЖЭТФ, 94:3 (2011), 234–239  mathnet; I. V. Silkin, Yu. M. Koroteev, S. V. Eremeev, G. Bihlmayer, E. V. Chulkov, “Three- and two-dimensional topological insulators in Pb$_2$Sb$_2$Te$_5$, Pb$_2$Bi$_2$Te$_5$, and Pb$_2$Bi$_2$Se$_5$ layered compounds”, JETP Letters, 94:3 (2011), 217–221  crossref  isi
    10. О. Е. Терещенко, К. А. Кох, В. В. Атучин, К. Н. Романюк, С. В. Макаренко, В. А. Голяшов, А. С. Кожухов, И. П. Просвирин, А. А. Шкляев, “Стабильность поверхности (0001) топологического изолятора Bi$^2$Se$^3$”, Письма в ЖЭТФ, 94:6 (2011), 500–503  mathnet; O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. V. Atuchin, K. N. Romanyuk, S. V. Makarenko, V. A. Golyashov, A. S. Kozhukhov, I. P. Prosvirin, A. A. Shklyaev, “Stability of the (0001) surface of the Bi$^2$Se$^3$ topological insulator”, JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468  crossref  isi
    11. V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Carrier mediated ferromagnetism on the surface of a topological insulator”, Письма в ЖЭТФ, 94:8 (2011), 672–677  mathnet; JETP Letters, 94:8 (2011), 629–634  crossref  isi
    12. Hirahara T., Bihlmayer G., Sakamoto Yu., Yamada M., Miyazaki H., Kimura Sh.-i., Bluegel S., Hasegawa Sh., “Interfacing 2D and 3D Topological Insulators: Bi(111) Bilayer on Bi2Te3”, Physical Review Letters, 107:16 (2011), 166801  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    13. Yavorsky B.Yu., Hinsche N.F., Mertig I., Zahn P., “Electronic structure and transport anisotropy of Bi2Te3 and Sb2Te3”, Physical Review B, 84:16 (2011), 165208  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    14. Bianchi M., Hatch R.C., Mi J., Iversen B.B., Hofmann Ph., “Simultaneous Quantization of Bulk Conduction and Valence States through Adsorption of Nonmagnetic Impurities on Bi2Se3”, Physical Review Letters, 107:8 (2011), 086802  crossref  mathscinet  adsnasa  isi  elib  scopus
    15. Eremeev S.V., Landolt G., Menshchikova T.V., Slomski B., Koroteev Yu.M., Aliev Z.S., Babanly M.B., Henk J., Ernst A., Patthey L., Eich A., Khajetoorians A.A., Hagemeister J., Pietzsch O., Wiebe J., Wiesendanger R., Echenique P.M., Tsirkin S.S., Amiraslanov I.R., Dil J.H., Chulkov E.V., “Atom-specific spin mapping and buried topological states in a homologous series of topological insulators”, Nature Communications, 3 (2012), 635  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    16. M. G. Vergniory, T. V. Men'shikova, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, “Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi$_2$Te$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 95:4 (2012), 230–235  mathnet  elib; JETP Letters, 95:4 (2012), 213–218  crossref  isi  elib
    17. И. В. Силкин, Т. В. Меньщикова, М. М. Отроков, С. В. Еремеев, Ю. М. Коротеев, M. G. Vergniory, В. М. Кузнецов, Е. В. Чулков, “Природные серосодержащие минералы как топологические изоляторы с широкой запрещенной щелью”, Письма в ЖЭТФ, 96:5 (2012), 352–356  mathnet  elib; I. V. Silkin, T. V. Menshchikova, M. M. Otrokov, S. V. Eremeev, Yu. M. Koroteev, M. G. Vergniory, V. M. Kuznetsov, E. V. Chulkov, “Natural sulfur-containing minerals as topological insulators with a wide band gap”, JETP Letters, 96:5 (2012), 322–325  crossref  isi  elib
    18. И. А. Нечаев, Е. В. Чулков, “Эффекты электрон-электронного взаимодействия на поверхности трехмерных топологических изоляторов”, Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012), 528–533  mathnet  elib; I. A. Nechaev, E. V. Chulkov, “Effects of the electron-electron interaction on the surface of three-dimensional topological insulators”, JETP Letters, 96:7 (2012), 480–485  crossref  isi  elib
    19. S. V. Eremeev, I. V. Silkin, T. V. Men'shikova, A. P. Protogenov, E. V. Chulkov, “New topological surface state in layered topological insulators: unoccupied Dirac cone”, Письма в ЖЭТФ, 96:12 (2012), 870–874  mathnet; JETP Letters, 96:12 (2012), 780–784  crossref  isi  elib
    20. Bianchi M., Hatch R.C., Guan D., Planke T., Mi J., Iversen B.B., Hofmann Ph., “The Electronic Structure of Clean and Adsorbate-Covered Bi2Se3: an Angle-Resolved Photoemission Study”, Semicond. Sci. Technol., 27:12 (2012), 124001  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    21. Chis V., Sklyadneva I.Yu., Kokh K.A., Volodin V.A., Tereshchenko O.E., Chulkov E.V., “Vibrations in Binary and Ternary Topological Insulators: First-Principles Calculations and Raman Spectroscopy Measurements”, Phys. Rev. B, 86:17 (2012), 174304  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    22. Pauly C., Bihlmayer G., Liebmann M., Grob M., Georgi A., Subramaniam D., Scholz M.R., Sanchez-Barriga J., Varykhalov A., Bluegel S., Rader O., Morgenstern M., “Probing Two Topological Surface Bands of Sb2Te3 by Spin-Polarized Photoemission Spectroscopy”, Phys. Rev. B, 86:23 (2012), 235106  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    23. Eremeev S.V., Vergniory M.G., Menshchikova T.V., Shaposhnikov A.A., Chulkov E.V., “The Effect of Van der Waal's Gap Expansions on the Surface Electronic Structure of Layered Topological Insulators”, New J. Phys., 14 (2012), 113030  crossref  isi  elib  scopus
    24. Niesner D., Fauster T., Eremeev S.V., Menshchikova T.V., Koroteev Yu.M., Protogenov A.P., Chulkov E.V., Tereshchenko O.E., Kokh K.A., Alekperov O., Nadjafov A., Mamedov N., “Unoccupied Topological States on Bismuth Chalcogenides”, Phys. Rev. B, 86:20 (2012), 205403  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    25. Veis A.N., Luk'yanova L.N., Kutasov V.A., “Band Gap and Type of Optical Transitions at the Interband Absorption Edge in Solid Solutions Based on Bismuth Telluride”, Phys. Solid State, 54:11 (2012), 2182–2188  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    26. Miyamoto K., Kimura A., Okuda T., Miyahara H., Kuroda K., Namatame H., Taniguchi M., Eremeev S.V., Menshchikova T.V., Chulkov E.V., Kokh K.A., Tereshchenko O.E., “Topological Surface States with Persistent High Spin Polarization Across the Dirac Point in Bi2Te2Se and Bi2Se2Te”, Phys. Rev. Lett., 109:16 (2012), 166802  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    27. Seibel Ch., Maass H., Ohtak M., Fiedler S., Juenger Ch., Min Ch.-H., Bentmann H., Sakamoto K., Reinert F., “Single Dirac Cone on the Cs-Covered Topological Insulator Surface Sb2Te3(0001)”, Phys. Rev. B, 86:16 (2012), 161105  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    28. Henk J., Flieger M., Maznichenko I.V., Mertig I., Ernst A., Eremeev S.V., Chulkov E.V., “Topological Character and Magnetism of the Dirac State in Mn-Doped Bi2Te3”, Phys. Rev. Lett., 109:7 (2012), 076801  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    29. Henk J., Ernst A., Eremeev S.V., Chulkov E.V., Maznichenko I.V., Mertig I., “Complex Spin Texture in the Pure and Mn-Doped Topological Insulator Bi2Te3”, Phys. Rev. Lett., 108:20 (2012), 206801  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    30. Menshchikova T.V., Eremeev S.V., Chulkov E.V., “Electronic Structure of Snsb2Te4 and Pbsb2Te4 Topological Insulators”, Appl. Surf. Sci., 267 (2013), 1–3  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    31. Vergniory M.G., Menshchikova T.V., Eremeev S.V., Chulkov E.V., “Bulk and Surface Electronic Structure of Snbi4Te7 Topological Insulator”, Appl. Surf. Sci., 267 (2013), 146–149  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    32. Silkin I.V. Koroteev Yu.M. Bihlmayer G. Chulkov E.V., “Influence of the Ge-Sb Sublattice Atomic Composition on the Topological Electronic Properties of Ge2Sb2Te5”, Appl. Surf. Sci., 267 (2013), 169–172  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    33. Plucinski L., Herdt A., Fahrendorf S., Bihlmayer G., Mussler G., Doering S., Kampmeier J., Matthes F., Buergler D.E., Gruetzmacher D., Bluegel S., Schneider C.M., “Electronic Structure, Surface Morphology, and Topologically Protected Surface States of Sb2Te3 Thin Films Grown on Si(111)”, J. Appl. Phys., 113:5 (2013), 053706  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    34. Okuda T., Kimura A., “Spin- and Angle-Resolved Photoemission of Strongly Spin-Orbit Coupled Systems”, J. Phys. Soc. Jpn., 82:2 (2013), 021002  crossref  adsnasa  isi  scopus
    35. Benia H.M., Yaresko A., Schnyder A.P., Henk J., Lin C.T., Kern K., Ast C.R., “Origin of Rashba Splitting in the Quantized Subbands at the Bi2Se3 Surface”, Phys. Rev. B, 88:8 (2013), 081103  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    36. Rusinov I.P., Nechaev I.A., Chulkov E.V., “Theoretical Study of Influencing Factors on the Dispersion of Bulk Band-Gap Edges and the Surface States in Topological Insulators Bi2Te3 and Bi2Se3”, J. Exp. Theor. Phys., 116:6 (2013), 1006–1017  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    37. Nechaev I.A., Chulkov E.V., “Quasiparticle Band Gap in the Topological Insulator Bi2Te3”, Phys. Rev. B, 88:16 (2013), 165135  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    38. Nechaev I.A., Hatch R.C., Bianchi M., Guan D., Friedrich C., Aguilera I., Mi J.L., Iversen B.B., Bluegel S., Hofmann Ph., Chulkov E.V., “Evidence for a Direct Band Gap in the Topological Insulator Bi2Se3 From Theory and Experiment”, Phys. Rev. B, 87:12 (2013), 121111  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    39. И. П. Русинов, И. А. Нечаев, Е. В. Чулков, “Влияние многочастичных эффектов на ширину энергетической щели в топологических изоляторах $\mathrm{Bi}_2\mathrm{Te}_2X$ ($X=\mathrm{Te}, \mathrm{Se}, \mathrm{S}$)”, Письма в ЖЭТФ, 98:7 (2013), 452–458  mathnet  crossref  elib; I. P. Rusinov, I. A. Nechaev, E. V. Chulkov, “Many-body effects on the width of the band gap in $\mathrm{Bi}_2\mathrm{Te}_2X$ ($X=\mathrm{Te}, \mathrm{Se}, \mathrm{S}$) topological insulators”, JETP Letters, 98:7 (2013), 397–402  crossref  isi  elib
    40. V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Engineering near-surface electron states in three-dimensional topological insulators”, Письма в ЖЭТФ, 98:10 (2013), 676–681  mathnet  crossref  elib; JETP Letters, 98:10 (2013), 603–608  crossref  isi  elib
    41. Stauber T., Gomez-Santos G., Brey L., “Spin-Charge Separation of Plasmonic Excitations in Thin Topological Insulators”, Phys. Rev. B, 88:20 (2013), 205427  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    42. Eremeev S.V. Koroteev Yu.M. Nechaev I.A. Chulkov E.V., “Role of Surface Passivation in the Formation of Dirac States at Polar Surfaces of Topological Crystalline Insulators: the Case of Snte(111)”, Phys. Rev. B, 89:16 (2014), 165424  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    43. Men'shov V.N., Tugushev V.V., Menshchikova T.V., Eremeev S.V., Echenique P.M., Chulkov E.V., “Modelling Near-Surface Bound Electron States in a 3D Topological Insulator: Analytical and Numerical Approaches”, J. Phys.-Condes. Matter, 26:48 (2014), 485003  crossref  mathscinet  isi  scopus
    44. Roy S., Meyerheim H.L., Mohseni K., Ernst A., Otrokov M.M., Vergniory M.G., Mussler G., Kampmeier J., Gruetzmacher D., Tusche C., Schneider J., Chulkov E.V., Kirschner J., “Atomic Relaxations At the (0001) Surface of Bi2Se3 Single Crystals and Ultrathin Films”, Phys. Rev. B, 90:15 (2014), 155456  crossref  adsnasa  isi  scopus
    45. Cheng L., Liu H.J., Zhang J., Wei J., Liang J.H., Shi J., Tang X.F., “Effects of Van der Waals Interactions and Quasiparticle Corrections on the Electronic and Transport Properties of Bi2Te3”, Phys. Rev. B, 90:8 (2014), 085118  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    46. Michiardi M., Aguilera I., Bianchi M., de Carvalho V.E., Ladeira L.O., Teixeira N.G., Soares E.A., Friedrich Ch., Bluegel S., Hofmann Ph., “Bulk Band Structure of Bi2Te3”, Phys. Rev. B, 90:7 (2014), 075105  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    47. Rittweger F., Hinsche N.F., Zahn P., Mertig I., “Signature of the Topological Surface State in the Thermoelectric Properties of Bi2Te3”, Phys. Rev. B, 89:3 (2014), 035439  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    48. Men'shov V.N. Tugushev V.V. Eremeev S.V. Echenique P.M. Chulkov E.V., “Band Bending Driven Evolution of the Bound Electron States At the Interface Between a Three-Dimensional Topological Insulator and a Three-Dimensional Normal Insulator”, Phys. Rev. B, 91:7 (2015), 075307  crossref  adsnasa  isi  scopus
    49. V. N. Men'shov, V. V. Tugushev, E. V. Chulkov, “Spin Hall conductivity in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures”, Письма в ЖЭТФ, 102:11 (2015), 864–869  mathnet  crossref  elib; JETP Letters, 102:11 (2015), 754–759  crossref  isi
    50. Politano A., Silkin V.M., Nechaev I.A., Vitiello M.S., Viti L., Aliev Z.S., Babanly M.B., Chiarello G., Echenique P.M., Chulkov E.V., “Interplay of Surface and Dirac Plasmons in Topological Insulators: the Case of Bi2Se3”, Phys. Rev. Lett., 115:21 (2015), 216802  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    51. Fahrnbauer F., Rosenthal T., Schmutzler T., Wagner G., Vaughan G.B.M., Wright J.P., Oeckler O., “Discovery and Structure Determination of An Unusual Sulfide Telluride Through An Effective Combination of Tem and Synchrotron Microdiffraction”, Angew. Chem.-Int. Edit., 54:34 (2015), 10020–10023  crossref  isi  elib  scopus
    52. Kato T., Kotaka H., Ishii F., “First-Principles Study of Surface States in Topological Insulators Bi2Te3 and Bi2Se3: Film Thickness Dependence”, Mol. Simul., 41:10-12, SI (2015), 892–895  crossref  isi  elib  scopus
    53. Vergniory M.G. Menshchikova T.V. Silkin I.V. Koroteev Yu.M. Eremeev S.V. Chulkov E.V., “Electronic and Spin Structure of a Family of Sn-Based Ternary Topological Insulators”, Phys. Rev. B, 92:4 (2015), 045134  crossref  adsnasa  isi  scopus
    54. Eremeev S.V., Menshchikova T.V., Silkin I.V., Vergniory M.G., Echenique P.M., Chulkov E.V., “Sublattice Effect on Topological Surface States in Complex (Snte)(N > 1)(Bi2Te3)(M=1) Compounds”, Phys. Rev. B, 91:24 (2015), 245145  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    55. Nechaev I.A., Aguilera I., De Renzi V., di Bona A., Rizzini A.L., Mio A.M., Nicotra G., Politano A., Scalese S., Aliev Z.S., Babanly M.B., Friedrich C., Bluegel S., Chulkov E.V., “Quasiparticle Spectrum and Plasmonic Excitations in the Topological Insulator Sb2Te3”, Phys. Rev. B, 91:24 (2015), 245123  crossref  mathscinet  adsnasa  isi  elib  scopus
    56. Yee M.M., Zhu Z.-H., Soumyanarayanan A., He Ya., Song C.-L., Pomjakushina E., Salman Z., Kanigel A., Segawa K., Ando Y., Hoffman J.E., “Spin-Polarized Quantum Well States on Bi2-Xfexse3”, Phys. Rev. B, 91:16 (2015), 161306  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    57. Shokri R., “Coexistence of Impurity-Induced Quasi-One-Dimensional Electronic Structure and Topological Surface States of Bi2Se3”, J. Appl. Phys., 119:8 (2016), 085304  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    58. Munoz F., Vergniory M.G., Rauch T., Henk J., Chulkov E.V., Mertig I., Botti S., Marques M.A.L., Romero A.H., “Topological Crystalline Insulator in a New Bi Semiconducting Phase”, Sci Rep, 6 (2016), 21790  crossref  adsnasa  isi  scopus
    59. С. Д. Борисова, Г. Г. Русина, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков, “Димеры тяжелых $p$-элементов IV–VI групп: электронные, вибрационные и магнитные свойства”, Письма в ЖЭТФ, 103:7 (2016), 533–538  mathnet  crossref  elib; S. D. Borisova, G. G. Rusina, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, “Dimers of heavy $p$-elements of groups IV-VI: Electronic, vibrational, and magnetic properties”, JETP Letters, 103:7 (2016), 471–475  crossref  isi
    60. Nemov S.A., Blagikh N.M., Allakhkhakh A.A., Ivanova L.D., Dzhafarov M.B., Demchenko A.E., “Energy spectrum of holes in Sb2Te2.9Se0.1 solid solution according to the data on the transfer phenomena”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2290–2293  crossref  isi  elib  scopus
    61. Rusinov I.P. Menshchikova T.V. Sklyadneva I.Yu. Heid R. Bohnen K.-P. Chulkov E.V., “Pressure effects on crystal and electronic structure of bismuth tellurohalides”, New J. Phys., 18 (2016), 113003  crossref  isi  elib  scopus
    62. Filyanina M.V., Klimovskikh I.I., Eremeev S.V., Rybkina A.A., Rybkin A.G., Zhizhin E.V., Petukhov A.E., Rusinov I.P., Kokh K.A., Chulkov E.V., Tereshchenko O.E., Shikin A.M., “Specific features of the electronic, spin, and atomic structures of a topological insulator Bi2Te2.4Se0.6”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 779–787  crossref  isi  elib  scopus
    63. Е. К. Петров, И. В. Силкин, Ю. М. Коротеев, Е. В. Чулков, “Влияние деформации на электронную структуру и топологические свойства соединений $\mathrm{A^{II}Mg_2Bi_2 \: (A^{II}= Mg, Ca, Sr, Ba)}$”, Письма в ЖЭТФ, 105:8 (2017), 491–496  mathnet  crossref  elib; E. K. Petrov, I. V. Silkin, Yu. M. Koroteev, E. V. Chulkov, “Effect of deformation on the electronic structure and topological properties of the $\mathrm{A^{II}Mg_2Bi_2 \: (A^{II}= Mg, Ca, Sr, Ba)}$ compounds”, JETP Letters, 105:8 (2017), 502–507  crossref  isi
    64. Nemov S.A., Ulashkevich Yu.V., “Effect of temperature and doping with Cu on the reflectance spectra of PbSb2Te4 crystals”, Semiconductors, 51:3 (2017), 318–321  crossref  isi  scopus
    65. Babanly M.B. Chulkov E.V. Aliev Z.S. Shevelkov A.V. Amiraslanov I.R., “Phase Diagrams in Materials Science of Topological Insulators Based on Metal Chalcogenides”, Russ. J. Inorg. Chem., 62:13 (2017), 1703–1729  crossref  isi  scopus
    66. Nemov S.A., Andreeva V.D., Ulashkevich Yu.V., Povolotsky A.V., Allahkhah A.A., “Specific Features of the Ir Reflectance and Raman Spectra of Sb2Te3-Xsex Crystals”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1317–1322  crossref  isi  scopus
    67. Rusinov I.P. Golub P. Sklyadneva I.Yu. Isaeva A. Menshchikova T.V. Echenique P.M. Chulkov E.V., “Chemically Driven Surface Effects in Polar Intermetallic Topological Insulators a(3)Bi”, Phys. Chem. Chem. Phys., 20:41 (2018), 26372–26385  crossref  isi  scopus
    68. Pacile D. Eremeev S.V. Caputo M. Pisarra M. De Luca O. Grimaldi I. Fujii J. Aliev Z.S. Babanly M.B. Vobornik I. Agostino R.G. Goldoni A. Chulkov V. Papagno M., “Deep Insight Into the Electronic Structure of Ternary Topological Insulators: a Comparative Study of Pbbi4Te7 and Pbbi6Te10”, Phys. Status Solidi-Rapid Res. Lett., 12:12 (2018), 1800341  crossref  isi  scopus
    69. Hermanowicz M., Radny M.W., “Iodine Adsorption on Bi2Se3 Topological Insulator”, Phys. Status Solidi-Rapid Res. Lett., 13:2 (2019), 1800460  crossref  isi  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:494
    Полный текст:149
    Литература:23

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019