RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2010, том 91, выпуск 8, страницы 442–445 (Mi jetpl699)  

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах: двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков

Т. А. Хачатурова, М. А. Белоголовский, А. И. Хачатуров

Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина Национальной АН Украины

Аннотация: Обсуждается влияние верхнего края валентной зоны изолятора на эффект спиновой фильтрации в туннельных структурах с наноразмерными слоями магнитного диэлектрика. Показано, что в том случае, когда уровень Ферми находится посередине запрещенной зоны диэлектрика, данный эффект полностью исчезает при нулевом напряжении смещения и существенно подавляется при конечных напряжениях. Указанное обстоятельство и является основной причиной наблюдавшегося недавно гигантского расхождения между теоретическими значениями магнетосопротивления двойных туннельных спиновых фильтров и соответствующими экспериментальными данными.

Полный текст: PDF файл (504 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, 91:8, 407–409

Реферативные базы данных:

Поступила в редакцию: 27.01.2010
Исправленный вариант: 11.03.2010

Образец цитирования: Т. А. Хачатурова, М. А. Белоголовский, А. И. Хачатуров, “Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах: двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков”, Письма в ЖЭТФ, 91:8 (2010), 442–445; JETP Letters, 91:8 (2010), 407–409

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaBelKha10}
\by Т.~А.~Хачатурова, М.~А.~Белоголовский, А.~И.~Хачатуров
\paper Эффект спиновой фильтрации в двойных туннельных переходах: двухзонная модель электронной структуры магнитных диэлектриков
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 91
\issue 8
\pages 442--445
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl699}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 91
\issue 8
\pages 407--409
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010080096}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000279084600009}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77953975778}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl699
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i8/p442

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:149
    Полный текст:38
    Литература:16
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019