RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2010, том 91, выпуск 9, страницы 511–516 (Mi jetpl711)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)

О. Е. Терещенкоab, С. В. Еремеевcd, А. В. Бакулинc, С. Е. Кульковаdc

a Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН
b Новосибирский государственный университет
c Томский государственный университет
d Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отд. РАН

Аннотация: Изучена микроскопическая природа селективного взаимодействия йода с As- и Ga-стабилизированными поверхностями GaAs(001) методом фотоэлектронной эмиссии и расчетами из первых принципов. Адсорбция йода на Ga-стабилизированную поверхность $(4\times2)/c(8\times2)$ приводит к образованию преимущественной химической связи с атомами галлия, значительному перераспределению электронной плотности между поверхностными атомами Ga и As и, как следствие, уменьшению их энергии связи. На As-стабилизированной поверхности $(2\times4)/c(2\times8)$ йод образует связь преимущественно с поверхностным мышьяком. Такое селективное взаимодействие йода с реконструированными поверхностями приводит к травлению Ga-стабилизированной поверхности и пассивации As-стабилизированной поверхности, что объясняет атомно-слоевое (“цифровое”) травление GaAs(001), контролируемое реконструкционными переходами на этой поверхности.

Полный текст: PDF файл (919 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2010, 91:9, 466–470

Реферативные базы данных:

Поступила в редакцию: 25.03.2010

Образец цитирования: О. Е. Терещенко, С. В. Еремеев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, “Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)”, Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010), 511–516; JETP Letters, 91:9 (2010), 466–470

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerEreBak10}
\by О.~Е.~Терещенко, С.~В.~Еремеев, А.~В.~Бакулин, С.~Е.~Кулькова
\paper Реконструкционная зависимость травления и пассивации поверхности GaAs(001)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2010
\vol 91
\issue 9
\pages 511--516
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl711}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2010
\vol 91
\issue 9
\pages 466--470
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364010090079}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000279691400007}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-77954444430}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl711
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i9/p511

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Bakulin A. Eremeev S. Tereshchenko O. Chulkov E. Kulkova S., Annual Conference on Functional Materials and Nanotechnologies - Fm&Nt 2011, IOP Conference Series-Materials Science and Engineering, 23, ed. Sternberg A. Muzikante I. Zicans J., IOP Publishing Ltd, 2011, 012015  crossref  isi  scopus
    2. Tian Sh., Wei Zh., Li Y., Zhao H., Fang X., Tang J., Fang D., Sun L., Liu G., Yao B., Ma X., Mater. Sci. Semicond. Process, 17 (2014), 33–37  crossref  isi  scopus
    3. Bakulin A., Ponomarev A., Kulkova S., 12Th Russia/Cis/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity and 9Th International Conference on Functional Materials and Nanotechnologies (Rcbjsf-2014-Fm&Nt), IOP Conference Series-Materials Science and Engineering, 77, IOP Publishing Ltd, 2015, 012004  crossref  isi  scopus
    4. Bakulin A.V., Kulkova S.E., Semiconductors, 50:2 (2016), 171–179  crossref  mathscinet  isi  elib  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:237
    Полный текст:80
    Литература:24
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019