RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2008, том 87, выпуск 1, страницы 41–44 (Mi jetpl9)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия

О. Е. Терещенкоab, К. В. Торопецкийab, В. Л. Альперовичab

a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Экспериментально изучено селективное взаимодействие атомов йода и цезия с поверхностью GaAs(001), которое приводит к уменьшению энергии связи поверхностных атомов галлия и мышьяка, соответственно, благодаря перераспределению электронной плотности в приповерхностной области под влиянием электроотрицательных и электроположительных адсорбатов. Такое селективное взаимодействие позволяет поочередно удалять монослои галлия и мышьяка при адсорбции йода и цезия и последующем прогреве при температуре $T\le450^\circ$C и, тем самым, осуществлять обратимые низкотемпературные переходы между Ga- и As-стабилизированными сверхструктурами, а также атомно-слоевое травление полупроводника с физически предельной, монослойной точностью.

Полный текст: PDF файл (959 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2008, 87:1, 35–38

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья
PACS: 61.14.-x, 68.35.Bs, 68.43.-h, 72.80.Ey, 81.15.Ef
Поступила в редакцию: 15.11.2007

Образец цитирования: О. Е. Терещенко, К. В. Торопецкий, В. Л. Альперович, “Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия”, Письма в ЖЭТФ, 87:1 (2008), 41–44; JETP Letters, 87:1 (2008), 35–38

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TerTorAlp08}
\by О.~Е.~Терещенко, К.~В.~Торопецкий, В.~Л.~Альперович
\paper Обратимые сверхструктурные переходы на поверхности GaAs(001) при селективном воздействии йода и цезия
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2008
\vol 87
\issue 1
\pages 41--44
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl9}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2008
\vol 87
\issue 1
\pages 35--38
\crossref{https://doi.org/10.1007/s11448-008-1009-5}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000254702000009}
\scopus{http://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-41749113040}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl9
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v87/i1/p41

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. О. Е. Терещенко, С. В. Еремеев, А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010), 511–516  mathnet; JETP Letters, 91:9 (2010), 466–470  crossref  isi
    2. Bakulin A.V., Eremeev S.V., Tereshchenko O.E., Kulkova S.E., Semiconductors, 45:1 (2011), 21–29  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    3. Bakulin A., Eremeev S., Tereshchenko O., Chulkov E., Kulkova S., Annual Conference on Functional Materials and Nanotechnologies - Fm&Nt 2011, IOP Conference Series-Materials Science and Engineering, 23, eds. Sternberg A., Muzikante I., Zicans J., IOP Publishing Ltd, 2011, 012015  crossref  isi  scopus
    4. Tereshchenko O.E. Paget D. Toropetsky K.V. Alperovich V.L. Eremeev S.V. Bakulin A.V. Kulkova S.E. Doyle B.P. Nannarone S., J. Phys. Chem. C, 116:15 (2012), 8535–8540  crossref  isi  elib  scopus
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:209
    Полный текст:103
    Литература:51

     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2019