Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в ЖЭТФ, 2007, том 85, выпуск 1, страницы 32–39 (Mi jetpl942)  

Эта публикация цитируется в 35 научных статьях (всего в 35 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок

Б. А. Аронзонab, В. А. Кульбачинскийc, П. В. Гуринc, А. Б. Давыдовab, В. В. Рыльковab, А. Б. Грановскийc, О. В. Вихроваd, Ю. А. Даниловd, Б. Н. Звонковd, Y. Horikoshie, K. Onomitsue

a Российский научный центр "Курчатовский институт"
b Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН
c Физический факультет Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова
d Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета
e School of science and engineering, Waseda University, 3-4-1, Okubo, Tokyo 169-8555, Japan

Аннотация: Исследованы магнитные и магнитотранспортные свойства квантовых ям GaAs($\delta\langleMn\rangle$)/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs с различным содержанием Mn. Дельта-легированный марганцевый слой отделялся от квантовой ямы GaAs спейсером оптимальной толщины (3 нм), что обеспечило достаточно высокую подвижность дырок ($\geq10^3 $см$^2/В\cdot с)$ в квантовых ямах и эффективный их обмен с атомами Mn. Обнаружено, что в квантовых ямах с активационным характером проводимости аномальный эффект Холла (АЭХ) проявляется только в ограниченном интервале температур выше и ниже температуры Кюри, тогда как в квантовых ямах с "квазиметаллической" проводимостью АЭХ отсутствует. Таким образом, показана неэффективность использования АЭХ для исследования магнитного упорядочения в полупроводниковых системах с высокой подвижностью носителей тока. Обнаруженные особенности в поведении сопротивления, магнитосопротивления и эффекта Холла обсуждаются в терминах взаимодействия дырок с магнитными ионами Mn при учете флуктуаций их потенциала, переноса дырок по уровню протекания и прыжковой проводимости.

Полный текст: PDF файл (1249 kB)
Список литературы: PDF файл   HTML файл

Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2007, 85:1, 27–33

Реферативные базы данных:

PACS: 71.55.Eq, 72.20.My, 72.25.Dc, 75.50.Pp
Поступила в редакцию: 14.11.2006

Образец цитирования: Б. А. Аронзон, В. А. Кульбачинский, П. В. Гурин, А. Б. Давыдов, В. В. Рыльков, А. Б. Грановский, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Y. Horikoshi, K. Onomitsu, “Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок”, Письма в ЖЭТФ, 85:1 (2007), 32–39; JETP Letters, 85:1 (2007), 27–33

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AroKulGur07}
\by Б.~А.~Аронзон, В.~А.~Кульбачинский, П.~В.~Гурин, А.~Б.~Давыдов, В.~В.~Рыльков, А.~Б.~Грановский, О.~В.~Вихрова, Ю.~А.~Данилов, Б.~Н.~Звонков, Y.~Horikoshi, K.~Onomitsu
\paper Аномальный эффект Холла в $\delta$-легированных Mn GaAs/In$_{0.17}$Ga$_{0.83}$As/GaAs квантовых ямах c высокой подвижностью дырок
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2007
\vol 85
\issue 1
\pages 32--39
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl942}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2007
\vol 85
\issue 1
\pages 27--33
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364007010067}
\isi{http://gateway.isiknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=PARTNER_APP&SrcAuth=LinksAMR&DestLinkType=FullRecord&DestApp=ALL_WOS&KeyUT=000245246700006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33947417292}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jetpl942
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jetpl/v85/i1/p32

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles

    Эта публикация цитируется в следующих статьяx:
    1. Б. А. Аронзон, А. С. Лагутин, В. В. Рыльков, В. В. Тугушев, В. Н. Меньшов, А. В. Лейскул, Р. Лайхо, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008), 192–198  mathnet; B. A. Aronzon, A. S. Lagutin, V. V. Ryl'kov, V. V. Tugushev, V. N. Men'shov, A. V. Lashkul, R. Laiho, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, JETP Letters, 87:3 (2008), 164–169  crossref  isi
    2. Е. З. Мейлихов, P. M. Фарзетдинова, Письма в ЖЭТФ, 87:9 (2008), 568–574  mathnet; JETP Letters, 87:9 (2008), 482–488  crossref  isi
    3. KervalishVili P., Lagutin A., Microelectronics Journal, 39:8 (2008), 1060–1065  crossref  isi  elib  scopus
    4. Meilikhov E.Z., Farzetdinova R.M., Physics Letters A, 372:25 (2008), 4641–4646  crossref  zmath  adsnasa  isi  elib  scopus
    5. Kulbachinskii V.A., Gurin P.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Proceedings of the 17th International Vacuum Congress/13th International Conference on Surface Science/International Conference on Nanoscience and Technology, Journal of Physics Conference Series, 100, 2008  crossref  isi  scopus
    6. Kulbachinskii V., Shchurova L., Kuznetsov N., Commad: 2008 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices, 2008, 51–54  crossref  isi  scopus
    7. Shchurova L., Kulbachinskii V., Commad: 2008 Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials & Devices, 2008, 118–121  crossref  isi  scopus
    8. Pankov M.A., Aronzon B.A., Rylkov V.V., Davydov A.B., Meilikhov E.Z., Farzetdinova R.M., Pashaev E.M., Chuev M.A., Subbotin I.A., Likhachev I.A., Zvonkov B.N., Lashkul A.V., Laiho R., Journal of Experimental and Theoretical Physics, 109:2 (2009), 293–301  crossref  mathscinet  adsnasa  isi
    9. Панков М.А., Лихачев И.А., Давыдов А.Б., Веденеев A.С., Субботин И.А., Дорофеев А.А., Рыльков В.В., Радиотехника и электроника, 54:9 (2009), 1099–1109  mathscinet  elib; Pankov M.A., Likhachev I.A., Davydov A.B., Vedeneev A.S., Subbotin I.A., Dorofeev A.A., Ryl'kov V.V., Journal of Communications Technology and Electronics, 54:9 (2009), 1042–1051  crossref  mathscinet  isi  scopus
    10. Kulbachinskii V.A., Shchurova L.Yu., Journal of Experimental and Theoretical Physics, 109:1 (2009), 117–127  crossref  adsnasa  isi  scopus
    11. Men'shov V.N., Tugushev V.V., Caprara S., Echenique P.M., Chulkov E.V., Physical Review B, 80:3 (2009), 035315  crossref  zmath  adsnasa  isi  scopus
    12. Men'shov V.N., Tugushev V.V., Journal of Experimental and Theoretical Physics, 108:6 (2009), 1024–1035  crossref  adsnasa  isi  scopus
    13. Shchurova L., Kulbachinskii V., International Journal of Modern Physics B, 23:17 (2009), 3596–3601  crossref  adsnasa  isi  scopus
    14. Drachenko O., Kozlov D.V., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I., Maremyanin K.V., Ikonnikov A.V., Zvonkov B.N., Goiran M., Leotin J., Fasching G., Winnerl S., Schneider H., Wosnitza J., Helm M., Physical Review B, 79:7 (2009), 073301  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    15. Shchurova L., Kulbachinskii V., Physics of Semiconductors, AIP Conference Proceedings, 1199, 2009, 447–448  adsnasa  isi
    16. Kulbachinskii V., Shchurova L., Magnetism and Magnetic Materials, Solid State Phenomena Series, 2009, 283–286  crossref  isi  scopus
    17. Aronzon B.A., Pankov M.A., Rylkov V.V., Meilikhov E.Z., Lagutin A.S., Pashaev E.M., Chuev M.A., Kvardakov V.V., Likhachev I.A., Vihrova O.V., Lashkul A.V., Lahderanta E., Vedeneev A.S., Kervalishvili P., Journal of Applied Physics, 107:2 (2010), 023905  crossref  adsnasa  isi  scopus
    18. Shchurova L.Yu., Kulbachinskii V.A., Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 11:3 (2011), 2678–2681  crossref  zmath  isi  scopus
    19. Otrokov M.M., Tugushev V.V., Ernst A., Ostanin S.A., Kuznetsov V.M., Chulkov E.V., Zh Èksper Teoret Fiz, 112:4 (2011), 625–636  crossref  adsnasa  isi  scopus
    20. Meilikhov E.Z., Farzetdinova R.M., Phys Lett A, 375:42 (2011), 3731–3738  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    21. Tripathi V., Dhochak K., Aronzon B.A., Rylkov V.V., Davydov A.B., Raquet B., Goiran M., Kugel K.I., Physical Review B, 84:7 (2011), 075305  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    22. Nikolaev S.N., Rylkov V.V., Aronzon B.A., Maslakov K.I., Likhachev I.A., Pashaev E.M., Chernoglazov K.Yu., Semisalova A.S., Perov N.S., Kul'bachinskii V.A., Novodvorsky O.A., Shorokhova A.V., Khramova O.D., Khaydukov E.V., Panchenko V.Ya., Semiconductors, 46:12 (2012), 1510–1517  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    23. Otrokov M.M. Fischer G. Buczek P. Ernst A. Chulkov E.V., Phys. Rev. B, 86:18 (2012), 184418  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    24. Zaitsev S.V., Low Temp. Phys., 38:5 (2012), 399–412  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    25. Tripathi V., Dhochak K., Aronzon B.A., Raquet B., Tugushev V.V., Kugel K.I., Phys. Rev. B, 85:21 (2012), 214401  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    26. Pankov M.A. Aronzon B.A. Rylkov V.V. Davydov A.B. Tugushev V.V. Caprara S. Likhachev I.A. Pashaev E.M. Chuev M.A. Lahderanta E. Vedeneev A.S. Bugaev A.S., Eur. Phys. J. B, 85:6 (2012), 206  crossref  adsnasa  isi  scopus
    27. Kulbachinskii V.A., Gurin P.V., Oveshnikov L.N., Nanosci. Nanotechnol. Lett., 4:6 (2012), 634–640  crossref  isi  elib  scopus
    28. Kervalishvili P.J., Khachidze M.G., Applied Electromagnetic Engineering for Magnetic, Superconducting and Nano Materials, Materials Science Forum, 721, eds. Mamalis A., Kladas A., Enokizono M., Trans Tech Publications Ltd, 2012, 71–76  crossref  isi  elib  scopus
    29. Drachenko O., Kozlov D., Ikonnikov A.V., Spirin K.E., Gavrilenko V., Schneider H., Helm M., Wosnitza J., Phys. Rev. B, 87:7 (2013), 075315  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    30. Yoon I.T., Lee S., Shon Y., Kwon Y., Park Y.S., Kang T.W., J. Supercond. Nov. Magn, 26:12 (2013), 3529–3532  crossref  isi  elib  scopus
    31. Aronzon B., Davydov A., Goiran M., Raquet B., Lashkul A., Lahderanta E., 20th International Conference on the Application of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (Hmf-20), Journal of Physics Conference Series, 456, IOP Publishing Ltd, 2013  crossref  isi  scopus
    32. Yoon I.T., Lee S., Shon Y., Kwon Y., Park Ch.S., Lee Ch.J., Kang T.W., Curr. Appl. Phys., 14:8 (2014), 1063–1066  crossref  isi  elib  scopus
    33. Yoon I.T., Lee S., Cho H.D., Shon Y., Kang T.W., J. Supercond. Nov. Magn, 28:10 (2015), 3049–3052  crossref  isi  elib  scopus
    34. Kwon Y.H., Lee S., Yang W., Park Ch.-S., Yoon I.T., J. Electron. Mater., 46:7 (2017), 3917–3921  crossref  isi  scopus
    35. Yoon I.T., Lee S., Roshchupkin D.V., Panin G.N., J. Nanosci. Nanotechnol., 18:6 (2018), 4355–4359  crossref  isi
  • Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Просмотров:
    Эта страница:386
    Полный текст:98
    Литература:46
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2022