Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


ЖТФ, 1985, том 55, выпуск 1, страницы 142–147 (Mi jtf1071)  

Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Аннотация: Исследовалось влияние параметров технологического процесса на внедрение фоновых примесей в легированные оловом и бериллием слои арсенида галлия, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ). В слоях, легированных бериллием, концентрация марганца существенно меньше, чем в слоях, легированных оловом. Показано, что в области температур подложки, больших 580$^{\circ}$С, в слоях, легированных оловом, концентрация марганца экспоненциально падает с увеличением температуры подложки, в то время как при меньших температурах меняется слабо. Величина энтальпии встраивания марганца, определенная из экспоненциального участка этой зависимости, находится в удовлетворительном соответствии с теоретически рассчитанной. Увеличение давления мышьяка на поверхность роста приводит к увеличению концентрации марганца и уменьшению концентрации углерода в слоях. Данные работы говорят в пользу применимости термодинамических представлений для описания процессов легирования при МПЭ.

Полный текст: PDF файл (739 kB)

Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 537.311.33
Поступила в редакцию: 27.02.1984
Исправленный вариант: 28.03.1984

Образец цитирования: Н. Н. Леденцов, Б. Я. Бер, П. С. Копьев, С. В. Иванов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, Г. М. Минчев, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в легированные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, ЖТФ, 55:1 (1985), 142–147

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LedBerKop85}
\by Н.~Н.~Леденцов, Б.~Я.~Бер, П.~С.~Копьев, С.~В.~Иванов, Б.~Я.~Мельцер, В.~М.~Устинов, Г.~М.~Минчев
\paper Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в~легированные
слои GaAs, выращенные методом МПЭ
\jour ЖТФ
\yr 1985
\vol 55
\issue 1
\pages 142--147
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf1071}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/jtf1071
  • http://mi.mathnet.ru/rus/jtf/v55/i1/p142

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Журнал технической физики Журнал технической физики
    Просмотров:
    Эта страница:9
    Полный текст:8
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021