 |
|
|
|
|
|
Математические модели и вычислительный эксперимент Оптическая бистабильность на основе полупроводников в условиях конечного времени термализации поглощенной световой энергии. II. Численное моделирование пространственных волн переключения Ю. Н. Карамзинa, С. В. Поляковa, В. А. Трофимовb a Институт математического моделирования РАН b Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова Аннотация: Рассмотрено взаимодействие оптического излучения с нелинейно поглощающим полупроводниковым кристаллом в условиях бистабильного его отклика с учетом процессов фотогенерации, рекомбинации и биполярной диффузии свободных носителей заряда, а также теплопроводности. В приближениях оптически толстого и тонкого слоя исследовано влияние соответственно продольной и поперечной (в том числе нелинейной) диффузии заряда и тепла на пространственную структуру и динамику волн переключения.  Полный текст:
PDF файл (1958 kB)
Реферативные базы данных: 
Поступила в редакцию: 14.05.1993 Образец цитирования: Ю. Н. Карамзин, С. В. Поляков, В. А. Трофимов, “Оптическая бистабильность на основе полупроводников в условиях конечного времени термализации поглощенной световой энергии. II. Численное моделирование пространственных волн переключения”, Матем. моделирование, 5:4 (1993), 
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KarPolTro93}Образцы ссылок на эту страницу:
Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Обратная связь: |
 Пользовательское соглашение
|
Регистрация |
Логотипы |
|