RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Матем. моделирование:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Матем. моделирование, 1990, том 2, номер 11, страницы 3–9 (Mi mm2476)  

Вычислительный эксперимент в науке и технике

Моделирование нестационарного дрейфа носителей в инжекционно-пролетном диоде

Г. П. Павлов

Горьковский государственный университет

Аннотация: Проведено моделирование инжекционно-пролетного диода в рамках квазигидродинамического приближения. Рассчитаны высокочастотные характеристики прибора в нелинейном режиме. Определены предельные параметры генерации в зависимости от размеров и профиля легирования полупроводниковой структуры.

Полный текст: PDF файл (830 kB)

Реферативные базы данных:
УДК: 621.382
Поступила в редакцию: 06.04.1990

Образец цитирования: Г. П. Павлов, “Моделирование нестационарного дрейфа носителей в инжекционно-пролетном диоде”, Матем. моделирование, 2:11 (1990), 3–9

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pav90}
\by Г.~П.~Павлов
\paper Моделирование нестационарного дрейфа носителей в~инжекционно-пролетном диоде
\jour Матем. моделирование
\yr 1990
\vol 2
\issue 11
\pages 3--9
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/mm2476}
\zmath{https://zbmath.org/?q=an:0972.78528}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/mm2476
  • http://mi.mathnet.ru/rus/mm/v2/i11/p3

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Математическое моделирование
    Просмотров:
    Эта страница:254
    Полный текст:115
    Литература:1
    Первая стр.:1
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2020