Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 4, страницы 715–721 (Mi phts1171)  

Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами

Ж. И. Алфёров, П. С. Копьв, Б. Я. Бер, А. М. Васильев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев


Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции двух структур с квантовыми ямами в системе GaAs$-$Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при различных температурах подложки (620 и $660^{\circ}$С) с примерно одинаковыми ширинами квантовых ям ${\sim11}$ нм и барьеров 8 нм. Показано, что в совершенной структуре ($660^{\circ}$С) преобладает экситонная люминесценция в широком интервале уровней возбуждения ($10{-}10^{3} Вт/см^{2}$) и температур (1.6$-$300 K). Минимальная полуширина экситонных пиков составляла 2.8 мэВ. В структуре, выращенной при более низкой температуре подложки, во всем исследованном диапазоне уровней возбуждения и температур доминирует примесное излучение, обусловленное захватом, носителей в квантовой яме на потенциале примесей и дефектов, расположенных в барьере в области интерфейса. Таким образом, потенциал примесей и дефектов, находящихся в AlGaAs-барьере, при их значительной концентрации может определять спектр состояний в квантовой яме.

Полный текст: PDF файл (865 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Ж. И. Алфёров, П. С. Копьв, Б. Я. Бер, А. М. Васильев, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, И. Н. Уральцев, Д. Р. Яковлев, “Собственная и примесная люминесценция в GaAs$-$AlGaAs-структурах с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 715–721

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlfBerVas85}
\by Ж.~И.~Алфёров, П.~С.~Копьв, Б.~Я.~Бер, А.~М.~Васильев, С.~В.~Иванов, Н.~Н.~Леденцов, Б.~Я.~Мельцер, И.~Н.~Уральцев, Д.~Р.~Яковлев
\paper Собственная и~примесная люминесценция в~GaAs$-$AlGaAs-структурах
с~квантовыми ямами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 4
\pages 715--721
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1171}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts1171
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v19/i4/p715

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:13
    Полный текст:10
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021