Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1985, том 19, выпуск 8, страницы 1473–1478 (Mi phts1358)  

Сужение края экситонного поглощения в твердых растворах полупроводников

Ф. В. Кусмарцев


Аннотация: Изучено влияние различных параметров твердого раствора на ширину линии экситонного поглощения. Обнаружено, что для полупроводниковых сплавов, в которых ширина запрещенной зоны мало меняется с изменением состава, возможно сильное сужение экситонной линии поглощения. Эффект сужения изучен на примере низкочастотного края экситонного поглощения и зависит от разности масс электрона и дырки. Наиболее узкий край экситонного поглощения должен наблюдаться в полупроводниках, в которых массы электрона и дырки мало различаются.

Полный текст: PDF файл (696 kB)
Тип публикации: Статья

Образец цитирования: Ф. В. Кусмарцев, “Сужение края экситонного поглощения в твердых растворах полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1473–1478

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kus85}
\by Ф.~В.~Кусмарцев
\paper Сужение края экситонного поглощения в~твердых растворах
полупроводников
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1985
\vol 19
\issue 8
\pages 1473--1478
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1358}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts1358
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v19/i8/p1473

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:9
    Полный текст:10
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021