Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1984, том 18, выпуск 2, страницы 270–274 (Mi phts1604)  

Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ

П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Аннотация: Показано, что основными примесями в специально не легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), являются углерод и марганец. Увеличение температуры подложки при росте приводит к уменьшению концентрации как углерода и марганца, так и компенсирующих донорных примесей. Увеличение давления мышьяка при фиксированной температуре роста уменьшает концентрацию мелких акцепторных уровней углерода, но увеличивает концентрацию марганца. Полученные данные согласуются с описанием процессов легирования при МПЭ с использованием термодинамических представлений о химии точечных дефектов в GaAs.

Полный текст: PDF файл (632 kB)
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Поступила в редакцию: 09.08.1983
Принята в печать:29.08.1983

Образец цитирования: П. С. Копьев, Б. Я. Бер, С. В. Иванов, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, В. М. Устинов, “Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в нелегированные эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом МПЭ”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984), 270–274

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KopBerIva84}
\by П.~С.~Копьев, Б.~Я.~Бер, С.~В.~Иванов, Н.~Н.~Леденцов, Б.~Я.~Мельцер, В.~М.~Устинов
\paper Влияние условий роста на внедрение фоновых примесей в~нелегированные
эпитаксиальные слои GaAs, выращенные методом~МПЭ
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1984
\vol 18
\issue 2
\pages 270--274
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts1604}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts1604
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v18/i2/p270

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:9
    Полный текст:2
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021