RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 4, страницы 726–729 (Mi phts169)  

Краткие сообщения

Эффект увлечения дырок светом при фотоионизации глубоких акцепторов в кубических полупроводниках

Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

Полный текст: PDF файл (457 kB)
Тип публикации: Статья
УДК: 621.315.592
Поступила в редакцию: 21.08.1985
Принята в печать:06.09.1985

Образец цитирования: Э. З. Имамов, Ю. Т. Ребане, “Эффект увлечения дырок светом при фотоионизации глубоких акцепторов в кубических полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 726–729

Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ImaReb86}
\by Э.~З.~Имамов, Ю.~Т.~Ребане
\paper Эффект увлечения дырок светом при фотоионизации глубоких акцепторов
в~кубических полупроводниках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 1986
\vol 20
\issue 4
\pages 726--729
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts169}


Образцы ссылок на эту страницу:
  • http://mi.mathnet.ru/phts169
  • http://mi.mathnet.ru/rus/phts/v20/i4/p726

    ОТПРАВИТЬ: VKontakte.ru FaceBook Twitter Mail.ru Livejournal Memori.ru


    Citing articles on Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles on Google Scholar: Russian articles, English articles
  • Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Просмотров:
    Эта страница:7
    Полный текст:5
     
    Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2021